[發明專利]硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法及其應用有效
| 申請號: | 202011232285.3 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN112509936B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發明(設計)人: | 郭方箐;胡冰峰;林綱正;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡楓;李素蘭 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 太陽能電池 電極 印刷 評價 方法 及其 應用 | ||
1.一種硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,包括:
(1)提供硅片;
(2)采用預設制絨參數對所述硅片進行制絨,得到設有預設絨面的硅片;
(3)對設有預設絨面的硅片進行鍍膜,得到待印刷硅片;
(4)采用預定的電極漿料,以預設的印刷參數、網版參數在所述待印刷硅片表面印刷多根不同寬度的柵線,并烘干燒結,得到帶有電極柵線的硅片;
(5)測定所述電極柵線的長度、寬度、高度和柵線電阻;
(6)根據下述公式組計算電極柵線的平均截面積和印刷飽滿度
其中,ρ為電極柵線的電阻率,Li為第i根電極柵線的長度,Ri為第i根電極柵線的柵線電阻,Wi為第i根電極柵線的寬度,Hi為第i根電極柵線的高度,Si為第i根電極柵線的平均截面積,αi為第i根電極柵線的印刷飽滿度;
(7)根據不同電極柵線的印刷飽滿度對電極柵線的印刷性進行評價,并獲取最優的印刷參數、網版參數、電極漿料參數和/或制絨參數,并根據所述印刷參數、網版參數、電極漿料參數和/或制絨參數完成電極柵線印刷。
2.如權利要求1所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,所述印刷參數包括絲網間距、刮刀下壓深度、印刷壓力、印刷速度和回料速度;
所述網版參數包括網版線寬、網版紗厚、網版目數、網版線徑、張網角度和網版張力;
所述制絨參數包括腐蝕溶劑種類、添加劑種類、腐蝕時間和腐蝕溫度;
所述電極漿料參數包括電極漿料種類和型號。
3.如權利要求1所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,步驟(4)中,采用相同制絨參數形成的多個待印刷硅片進行印刷,且在同一待印刷硅片上印刷多根不同寬度的柵線時,采用相同的電極漿料,相同的網版參數,不同的印刷參數。
4.如權利要求1所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,步驟(4)中,采用相同制絨參數形成的多個待印刷硅片進行印刷,且在同一待印刷硅片上印刷多根不同寬度的柵線時,采用不同的電極漿料,相同的網版參數和印刷參數。
5.如權利要求1所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,步驟(4)中,采用相同制絨參數形成的多個待印刷硅片進行印刷,且在同一待印刷硅片上印刷多根不同寬度的柵線時,采用相同的電極漿料,相同的印刷參數,不同的網版參數。
6.如權利要求1所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,步驟(4)中,采用不同制絨參數形成的多個待印刷硅片進行印刷,且多個待印刷硅片在印刷多根不同寬度的柵線時,采用相同的電極漿料、印刷參數和網版參數。
7.如權利要求1~5任一項所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,步驟(4)中,所述柵線的寬度分別為20μm、22μm、24μm、26μm、28μm和30μm;相鄰柵線之間的距離為2~5mm,柵線的長度為155~156mm。
8.如權利要求1~5任一項所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法,其特征在于,所述柵線的兩端設有接觸電極,所述接觸電極的寬度為2~3mm。
9.如權利要求1~7任一項所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法在晶體硅太陽能電池制絨參數、印刷參數、網版參數確定過程中的應用。
10.如權利要求1~7任一項所述的硅晶體太陽能電池電極柵線印刷性評價方法在晶體硅太陽能電池電極漿料評價過程中的應用。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司,未經浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011232285.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





