[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011227830.X
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112951898A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 韓東煥;尹承燦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/088
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;韓芳

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括在第一方向上延伸的有源區；

柵極結構，與所述有源區交叉并且在第二方向上延伸；

源區/漏區，在所述有源區上位于所述柵極結構的至少一側上；

接觸插塞，在所述源區/漏區上位于所述柵極結構的所述至少一側上；以及

接觸絕緣層，位于所述接觸插塞的側壁上，

其中，所述接觸插塞的下端定位得比所述源區/漏區的下端靠近所述基底。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述接觸插塞在所述第二方向上的長度比所述源區/漏區在所述第二方向上的長度大。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述接觸絕緣層在所述第二方向上與所述源區/漏區的端部間隔開。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，當在平面圖中觀察時，所述接觸絕緣層圍繞所述接觸插塞。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源區/漏區的上表面在所述第一方向上具有平面形狀，并且其中，所述接觸插塞與所述源區/漏區的所述上表面接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括側壁絕緣層，所述側壁絕緣層與所述源區/漏區的外表面的一部分接觸，并且與所述接觸插塞接觸。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，當在沿著所述第二方向的剖視圖中觀察時，所述源區/漏區包括從所述有源區在向上方向上傾斜地延伸的第一表面，

其中，所述側壁絕緣層定位在所述第一表面上。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，當在平面圖中觀察時，所述側壁絕緣層與所述源區/漏區完全疊置。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述柵極結構的下表面與所述接觸插塞的下表面以距所述基底相同的距離定位，或者所述柵極結構的所述下表面定位得比所述接觸插塞的所述下表面靠近所述基底。

10.根據權利要求1至權利要求9中的任意一項所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括多個溝道層，所述多個溝道層位于所述有源區上，并且在與所述第一方向和所述第二方向垂直的豎直方向上彼此間隔開，

其中，所述柵極結構圍繞所述多個溝道層。

11.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，具有第一區域和第二區域，并且包括在第一方向上延伸的有源區；

柵極結構，分別位于所述第一區域和所述第二區域上，與所述有源區交叉，并且在第二方向上延伸；

源區/漏區，在所述有源區上位于所述柵極結構的至少一側上，并且在上端中包括金屬-半導體層；

接觸插塞，位于所述柵極結構的所述至少一側上，所述接觸插塞的外表面的部分與所述源區/漏區接觸，并且所述接觸插塞的下端定位得比所述源區/漏區的下端靠近所述基底；以及

接觸絕緣層，位于所述接觸插塞的側壁上，

其中，所述柵極結構中的每個包括順序地堆疊在所述基底上的柵極絕緣層和柵電極層以及位于所述柵電極層的在所述第一方向上的側壁上的柵極間隔件層，

其中，在所述第一區域中柵電極層和與該柵電極層相鄰的每個接觸插塞之間的第一距離比在所述第二區域中柵電極層和與該柵電極層相鄰的每個接觸插塞之間的第二距離短。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述接觸絕緣層在所述第一方向上與所述柵極間隔件層接觸。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述接觸絕緣層的下表面與所述金屬-半導體層接觸。