[發明專利]芯片鈍化層的制備方法、芯片鈍化層及芯片

有效

• 申請號: 202011226912.2
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112458427B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 丁凱文;冷群文;鄒泉波;趙海輪;安琪;周汪洋;周良
• 申請（專利權）人: 歌爾微電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

本發明公開了一種芯片鈍化層的制備方法、芯片鈍化層及芯片，在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結構；在所述第一結構的表面生長非晶硅，獲得第二結構；在所述第二結構的上表面進行氧化硅沉積，獲得第三結構；對所述第三結構中的氧化硅層進行圖形化，獲得第四結構；對所述第四結構進行硅蝕刻，獲得第五結構；釋放所述第五結構中的氮化硅和/或氧化硅，獲得芯片鈍化層。由此通過沉積、生長、再沉積、圖形化、蝕刻、釋放操作，獲得了工藝集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片鈍化層。

技術領域

本發明屬于芯片制備領域，尤其涉及一種芯片鈍化層的制備方法、芯片鈍化層及芯片。

背景技術

麥克風的芯片一般是采用微機電系統(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)。當前MEMS的鈍化層一般是氮化硅材料，但是常規的氮化硅材料不耐氫氟酸的腐蝕，耐氫氟酸腐蝕的氮化硅材料需要在較高的生長溫度從而限制了在MEMS上集成不耐高溫器件。并且氮化硅材料的MEMS在刻蝕過程中需要較厚的材料以防止氫氟酸的侵蝕。并且由此導致芯片的可靠性和兼容性受限。

發明內容

本發明提供一種芯片鈍化層的制備方法、芯片鈍化層及芯片，旨在實現提高芯片鈍化層的可靠性和兼容性。

為實現上述目的，本發明提供一種芯片鈍化層的制備方法，所述方法包括：

在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結構；

在所述第一結構的表面生長非晶硅，獲得第二結構；

在所述第二結構的上表面進行氧化硅沉積，獲得第三結構；

對所述第三結構中的氧化硅層進行圖形化，獲得第四結構；

對所述第四結構進行硅蝕刻，獲得第五結構；

釋放所述第五結構中的氮化硅和/或氧化硅，獲得芯片鈍化層。

可選地，所述在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結構，包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積PECVD法在所述硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得所述第一結構，其中反應氣體是SiH₄與N₂或者SiH₄與N₂O。

可選地，所述在所述第一結構的表面生長非晶硅，獲得第二結構，包括：

采用PECVD法在所述第一結構的表面生長非晶硅，獲得所述第二結構，其中非晶硅的生長條件是：200℃，反應室壓力1Torr，反應氣體SiH₄與H₂的稀釋比為1:1-1:12，其中SiH₄流量為100sccm。

可選地，所述在所述第二結構的上表面進行氧化硅沉積，獲得第三結構，包括：

采用PECVD法在所述第二結構的上表面進行氧化硅沉積，獲得第三結構，其中所述第三結構的最上層為氧化硅層，氧化硅沉積的條件是：反應氣體SiH₄與N₂O的稀釋比為1:3,其中N₂O的流速為200cm/min。

可選地，所述對所述第三結構中的氧化硅層進行圖形化，獲得第四結構，包括：

通過光刻機將掩模版上的圖形印制到所述第三結構中的氧化硅層，獲得具有圖形的第四結構。

可選地，所述對所述第四結構進行硅蝕刻，獲得第五結構，包括：

利用六氟化硫對所述第四結構中的氧化硅層、非晶硅層的線寬控制區域進行蝕刻，獲得具有蝕刻效果的第五結構。

可選地，所述釋放所述第五結構中的硬掩模，獲得芯片鈍化層，包括：