[發(fā)明專利]芯片鈍化層的制備方法、芯片鈍化層及芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011226912.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112458427B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁凱文;冷群文;鄒泉波;趙海輪;安琪;周汪洋;周良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/04
• 分類號(hào): C23C16/04;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種芯片鈍化層的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結(jié)構(gòu)，其中，參與沉積的反應(yīng)氣體是SiH₄與N₂，SiH₄與N₂的稀釋比為1:3；或者參與沉積的反應(yīng)氣體是SiH₄與N₂O，SiH₄與N₂O的稀釋比為1:3，其中N₂O的流速為200cm/min；

在所述第一結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)非晶硅，獲得第二結(jié)構(gòu)，其中，所述非晶硅的生長(zhǎng)條件是：生長(zhǎng)溫度為200℃、反應(yīng)室壓力為1Torr、反應(yīng)氣體是SiH₄與H₂的稀釋比為1:1-1:12，其中SiH₄流量為100sccm；

在所述第二結(jié)構(gòu)的上表面進(jìn)行氧化硅沉積，獲得第三結(jié)構(gòu)，其中，所述氧化硅沉積的條件是：反應(yīng)氣體SiH₄與N₂O的稀釋比為1:3，其中N₂O的流速為200cm/min；

對(duì)所述第三結(jié)構(gòu)中的氧化硅層進(jìn)行圖形化，獲得第四結(jié)構(gòu)；

利用六氟化硫?qū)λ龅谒慕Y(jié)構(gòu)進(jìn)行硅蝕刻，獲得第五結(jié)構(gòu)；

以氫氟酸為腐蝕液，釋放所述第五結(jié)構(gòu)中的氮化硅和/或氧化硅，獲得芯片鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結(jié)構(gòu)，包括：

采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD法在所述硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得所述第一結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)非晶硅，獲得第二結(jié)構(gòu)，包括：

采用PECVD法在所述第一結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)非晶硅，獲得所述第二結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二結(jié)構(gòu)的上表面進(jìn)行氧化硅沉積，獲得第三結(jié)構(gòu)，包括：

采用PECVD法在所述第二結(jié)構(gòu)的上表面進(jìn)行氧化硅沉積，獲得第三結(jié)構(gòu)，其中所述第三結(jié)構(gòu)的最上層為氧化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第三結(jié)構(gòu)中的氧化硅層進(jìn)行圖形化，獲得第四結(jié)構(gòu)，包括：

通過(guò)光刻機(jī)將掩模版上的圖形印制到所述第三結(jié)構(gòu)中的氧化硅層，獲得具有圖形的第四結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用六氟化硫?qū)λ龅谒慕Y(jié)構(gòu)進(jìn)行硅蝕刻，獲得第五結(jié)構(gòu)，包括：

利用所述六氟化硫?qū)λ龅谒慕Y(jié)構(gòu)中的氧化硅層、非晶硅層的線寬控制區(qū)域進(jìn)行蝕刻，獲得具有蝕刻效果的第五結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述以氫氟酸為腐蝕液，釋放所述第五結(jié)構(gòu)中的氮化硅和/或氧化硅，獲得芯片鈍化層，包括：

通過(guò)濕法腐蝕方法以所述氫氟酸為腐蝕液，釋放所述第五結(jié)構(gòu)中的氮化硅和/或氧化硅，獲得芯片鈍化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得第一結(jié)構(gòu)，包括：

采用熱氧化、電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積、激光等離子體汽相化學(xué)沉積中的任意一種方法在所述硬掩模襯底沉積氮化硅或氧化硅，獲得所述第一結(jié)構(gòu)。

9.一種芯片鈍化層，其特征在于，所述芯片鈍化層由所述權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的方法制備。

10.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括所述權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的芯片鈍化層的制備方法制備的芯片鈍化層。