[發明專利]一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法和殺爆戰斗部

有效

• 申請號: 202011226707.6
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112414232B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 王文光;朱照陽;張鵬;謝曉暉;薛建鋒;劉濤;孟衛兵;湯軍偉;楊會林;韓果;朱鵬;和鑫
• 申請（專利權）人: 江西洪都航空工業股份有限公司
• 主分類號: F42B15/01
• 分類號: F42B15/01;F42B15/00
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 王世磊

本發明提供一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法和殺爆戰斗部，該方法包括：獲取待攻擊的相控陣雷達天線的高度H；根據待攻擊的相控陣雷達天線的高度H、破片分布密度提高倍數n和殺爆戰斗部的威力半徑R，采用公式確定殺爆戰斗部飛散角θ'；H/n表示殺爆戰斗部內的破片的殺傷帶寬，k1和k2為預設系數。由于小殺傷半徑對破片初速需求低，因此可通過適當減少裝藥和增加破片裝填量的優化設計，將對破片飛散范圍的需求轉化為對破片分布密度的需求，使高精度彈道情況下降低對破片殺傷帶寬要求，解決大飛散角無法設計實現的難題。

技術領域

本發明屬于飛行器結構技術領域，具體涉及一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法和殺爆戰斗部。

背景技術

反輻射飛行器多配裝殺爆戰斗部，依靠破片動能侵徹實施對相控陣雷達目標的硬殺傷。

目前在進行殺爆戰斗部論證設計時，要求在殺傷半徑內破片飛散角應覆蓋相控陣雷達天線，且在飛散角范圍內破片密度應滿足對相控陣雷達饋源的殺傷比例，以達到對相控陣雷達天線的毀傷需求。

但隨著制導精度的提高，殺爆戰斗部所需的殺傷半徑越來越小，在飛散角論證設計時如仍要求破片覆蓋整個天線，則所需的破片飛散角將很大，導致超出殺爆戰斗部的工程實現能力，使指標體系無法閉環。

發明內容

本發明提供一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法和殺爆戰斗部，通過提高破片密度來彌補或降低對破片飛散角的要求。

本發明提供一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法，包括：

獲取待攻擊的相控陣雷達天線的高度H；

根據待攻擊的相控陣雷達天線的高度H、破片分布密度提高倍數n和殺爆戰斗部的威力半徑R，采用如下公式，確定殺爆戰斗部飛散角θ'；

其中，H/n表示殺爆戰斗部內的破片的殺傷帶寬，k1和k2為預設系數。

可選的，所述破片分布密度提高倍數n的取值符合1≤n≤1/η；

其中，η為待攻擊的相控陣雷達天線的失效百分比。

可選的，所述k1的取值為9，所述k2的取值為20。

可選的，所述殺爆戰斗部的威力半徑R根據所述殺爆戰斗部的脫靶量確定。

本發明還提供一種殺爆戰斗部，包括：殼體、破片和起爆點；所述破片和起爆點設置在所述殼體內；所述破片在所述殼體內呈弧形布置，所述起爆點設置在所述破片的狐內；所述破片的布局曲率以及破片和起爆點的位置，根據殺爆戰斗部飛散角θ'確定；

其中，H為相控陣雷達天線的高度H；n為破片分布密度提高倍數；R為殺爆戰斗部的威力半徑，H/n表示殺爆戰斗部內的破片的殺傷帶寬，k1和k2為預設系數。

可選的，所述破片分布密度提高倍數n的取值符合1≤n≤1/η；

其中，η為待攻擊的相控陣雷達天線的失效百分比。

可選的，所述k1的取值為9，所述k2的取值為20。

可選的，所述殺爆戰斗部的威力半徑R根據所述殺爆戰斗部的脫靶量確定。

本發明提供一種殺爆戰斗部飛散角的生成方法和殺爆戰斗部，該方法包括：獲取待攻擊的相控陣雷達天線的高度H；根據待攻擊的相控陣雷達天線的高度H、破片分布密度提高倍數n和殺爆戰斗部的威力半徑R，采用公式確定殺爆戰斗部飛散角θ'；H/n表示殺爆戰斗部內的破片的殺傷帶寬，k1和k2為預設系數。由于小殺傷半徑對破片初速需求低，因此可通過適當減少裝藥和增加破片裝填量的優化設計，將對破片飛散范圍的需求轉化為對破片分布密度的需求，使高精度彈道情況下降低對破片殺傷帶寬要求，解決大飛散角無法設計實現的難題。

附圖說明