[發(fā)明專利]靜電保護(hù)電路、集成電路及靜電泄放方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011225663.5
• 申請(qǐng)日: 2020-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN114447895A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許杞安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/00
• 分類號(hào): H02H9/00;H02H9/02;H01L27/02
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路、集成電路及靜電泄放方法，其中，靜電保護(hù)電路，包括：脈沖檢測(cè)單元，第一端連接第一焊盤，其第二端連接第二焊盤，其輸出端輸出檢測(cè)結(jié)果信號(hào)；泄放晶體管，柵極連接脈沖檢測(cè)單元的輸出端，漏極連接第一焊盤，源極連接第二焊盤；反饋延時(shí)單元，用于延長(zhǎng)泄放晶體管泄放靜電電荷時(shí)的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)；反饋延時(shí)單元包括：PMOS管，源極連接第一焊盤，柵極連接脈沖檢測(cè)單元的輸出端；NMOS管，源極連接第二焊盤，漏極連接脈沖檢測(cè)單元的輸出端，柵極連接PMOS管的漏極；處理單元，分別連接脈沖檢測(cè)單元的輸出端和反饋延時(shí)單元。本發(fā)明實(shí)施例以延長(zhǎng)靜電電荷的泄放時(shí)長(zhǎng)，從而更徹底的泄放靜電，提高對(duì)被保護(hù)的電路的保護(hù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種靜電保護(hù)電路、集成電路及靜電泄放方法。

背景技術(shù)

靜電放電防護(hù)電路(electrostatic discharge protection circuit,ESDcircuit)是用以提供一低阻抗的電流路徑，以將靜電電荷導(dǎo)出。一般來說，現(xiàn)有靜電放電防護(hù)的主要設(shè)計(jì)考慮包含有布局面積、啟動(dòng)電流、VDD至VSS的漏電流、以及操作上錯(cuò)誤觸發(fā)的避免機(jī)制。

現(xiàn)有技術(shù)中常出現(xiàn)靜電電荷泄放不夠徹底的問題，在這種情況下，靜電保護(hù)電路的靜電保護(hù)效果不佳，焊盤上未被泄放的靜電電荷仍有可能作用到功能電路，毀損被靜電保護(hù)電路保護(hù)的功能電路，嚴(yán)重影響集成電路的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路、集成電路及靜電泄放方法，以延長(zhǎng)靜電電荷的泄放時(shí)長(zhǎng)，從而更徹底的泄放靜電，提高對(duì)被保護(hù)的電路的保護(hù)效果。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種靜電保護(hù)電路，包括：脈沖檢測(cè)單元，用于檢測(cè)靜電脈沖，其第一端連接第一焊盤，其第二端連接第二焊盤，其輸出端輸出檢測(cè)結(jié)果信號(hào)；泄放晶體管，柵極連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端，漏極連接至第一焊盤，源極連接至第二焊盤，用于在第一焊盤或第二焊盤有靜電時(shí)使源極、漏極之間導(dǎo)通，以泄放靜電電荷；反饋延時(shí)單元，用于延長(zhǎng)泄放晶體管泄放靜電電荷時(shí)的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)；反饋延時(shí)單元包括：PMOS管，源極連接至第一焊盤，柵極連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端；NMOS管，源極連接至第二焊盤，漏極連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端，柵極連接PMOS管的漏極；處理單元，分別連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端和反饋延時(shí)單元，用于根據(jù)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)控制反饋延時(shí)單元的導(dǎo)通和關(guān)斷。

與相關(guān)技術(shù)相比，通過泄放晶體管泄放靜電電荷，防止靜電電荷作用到被保護(hù)的功能電路，造成功能電路的毀損。并且由于具有反饋延時(shí)電路，能夠通過反饋延長(zhǎng)泄放晶體管的導(dǎo)通時(shí)間，因此可以降低對(duì)脈沖檢測(cè)單元的要求，使得無需設(shè)置具有較大時(shí)間常數(shù)的脈沖檢測(cè)單元，即可具有足夠長(zhǎng)的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)，保證了泄放晶體管在泄放靜電電荷時(shí)的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)，盡可能保證靜電電荷泄放的更加徹底；在保證泄放晶體管的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)的同時(shí)，還能夠減小脈沖檢測(cè)單元中的元器件對(duì)集成電路的布圖空間的占用；并且還通過處理單元避免在操作上錯(cuò)誤觸發(fā)上述靜電防護(hù)功能。

另外，處理單元包括開關(guān)晶體管，柵極連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端，源極連接至第二焊盤，漏極連接至PMOS管的漏極。

另外，開關(guān)晶體管為N型MOS管。

另外，泄放晶體管為P型MOS管。

另外，脈沖檢測(cè)單元包括：檢測(cè)電阻，一端連接至第一焊盤，另一端連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端；檢測(cè)電容，一端連接至第二焊盤，另一端連接至脈沖檢測(cè)單元的輸出端。

另外，檢測(cè)電阻的電阻值和檢測(cè)電容的電容值的乘積小于0.1us。

另外，檢測(cè)電容的電容值小于10pF。

另外，泄放晶體管泄放靜電電荷時(shí)的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)大于0.1微秒。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種集成電路，包括上述靜電保護(hù)電路，用于為集成電路上的焊盤泄放靜電。