[發(fā)明專利]Al-Si系合金、其制備方法及5G通信基站的散熱件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011224326.4
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112410624B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉桂亮;孫謙謙;韓夢霞;劉相法
• 申請（專利權(quán)）人: 山東邁奧晶新材料有限公司;山東呂美熔體技術(shù)有限公司;山東大學
• 主分類號: C22C21/02
• 分類號: C22C21/02;C22C1/03;C22C1/10;C22F1/043
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;劉奕晴

1.一種Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金包括Al、Si、Fe以及TiC_B@TiBC粒子，

基于100wt％的所述Al-Si系合金，Si的含量為4.0wt％-14.0wt％、Fe的含量為0.1wt％-1.2wt％，

所述TiC_B@TiBC粒子包括核部和殼部，所述核部包含B摻雜型TiC_B，所述殼部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相，其中，B摻雜型TiC_B是指B原子占據(jù)TiC_x晶體的C空位而形成的TiC_B相，TiBC三元相是指由Ti、B和C組成的三元相，其中，x＜1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述核部中的C含量高于所述殼部中的C含量，所述核部中的B含量低于所述殼部中的B含量，

所述B摻雜型TiC_B由TiC_xB_y表示，其中，0.72＜x＜0.81，0＜y＜0.17。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金還包含AlN粒子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述TiC_B@TiBC粒子和所述AlN粒子為納米級別。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述AlN粒子按照短鏈狀或串狀分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金還包括Mn、Mg、Zn和Cu中的至少一種，其中，基于100wt％的所述Al-Si系合金，Mn的含量為0.05wt％-0.5wt％、Mg的含量為0.1wt％-0.45wt％、Zn的含量為小于等于0.1wt％、Cu的含量為0.02wt％-4.5wt％。

7.一種Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金包括Al、Si、TiC_B@TiBC粒子和AlN粒子，所述TiC_B@TiBC粒子包括核部和殼部，所述核部包含B摻雜型TiC_B，所述殼部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相，其中，B摻雜型TiC_B是指B原子占據(jù)TiC_x晶體的C空位而形成的TiC_B相，TiBC三元相是指由Ti、B和C組成的三元相，其中，x＜1。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的Al-Si系合金的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

制備包括Al、Si和Fe的合金熔體；

在所述合金熔體中添加TiCB-Al晶種合金，所述TiCB-Al晶種合金包括所述TiC_B@TiBC粒子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述TiCB-Al晶種合金中不含TiAl₃相。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述TiCB-Al晶種合金的添加量為所述合金熔體的總重量的0.1wt％-10.0wt％，基于100wt％的所述TiCB-Al晶種合金，所述TiC_B@TiBC粒子的含量為0.5wt％-5.0wt％。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括在所述合金熔體中添加Al-N系晶種合金，所述Al-N系晶種合金包括AlN粒子，所述Al-N系晶種合金的添加量為所述合金熔體的總重量的0.1wt％-10.0wt％，基于100wt％的所述Al-N系晶種合金，所述AlN粒子的含量為0.5wt％-10.0wt％。