[發明專利]Al-Si系合金、其制備方法及5G通信基站的散熱件有效
| 申請號: | 202011224326.4 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112410624B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 劉桂亮;孫謙謙;韓夢霞;劉相法 | 申請(專利權)人: | 山東邁奧晶新材料有限公司;山東呂美熔體技術有限公司;山東大學 |
| 主分類號: | C22C21/02 | 分類號: | C22C21/02;C22C1/03;C22C1/10;C22F1/043 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 包國菊;劉奕晴 |
| 地址: | 276400 山東省臨沂市沂水縣裕*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | al si 合金 制備 方法 通信 基站 散熱 | ||
本公開提供一種Al?Si系合金、其制備方法及5G通信基站的散熱件。所述Al?Si系合金包括Al、Si、Fe以及TiCB@TiBC粒子,基于100wt%的所述Al?Si系合金,Si的含量為4.0wt%?14.0wt%、Fe的含量為0.1wt%?1.2wt%,所述TiCB@TiBC粒子包括核部和殼部,所述核部包含B摻雜型TiCB,所述殼部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相,其中,B摻雜型TiCB是指B原子占據TiCx晶體的C空位而形成的TiCB相,TiBC三元相是指由Ti、B和C組成的三元相,其中,x<1。根據本公開的Al?Si系合金可具有改善的導熱性能、抗拉強度、屈服強度以及成型性能。
技術領域
本公開涉及金屬材料領域,具體涉及Al-Si系合金、其制備方法及5G通信基站的散熱件。
背景技術
5G通信技術的推廣和應用,對全產業鏈變革提出了更高的要求。據實測數據統計,5G通信基站單站的功耗約是4G通信基站單站的功耗的2.5-3.5倍,這就意味著基站發熱量的陡增,如何解決其導熱、散熱的問題成為行業關注的焦點。
另外,通信基站通常會安裝在室外或野外的高處,其各零部件的體積、重量對設備的安裝便捷性是至關重要的,同時體積和重量也是影響散熱的邊界條件和關鍵因素。
Al-Si系合金由于密度低、導熱性能優良、比強度高、充型能力好以及耐蝕性好等優勢成為5G通信基站的散熱件(例如,有源天線處理單元(AAU)的散熱殼體、5G通信基站的濾波器的散熱殼體等)的首選材料。
然而,通過傳統的成分優化調控、晶粒細化、施加外場等手段,難以使現有的Al-Si系合金同時滿足5G通信基站的散熱件提出的高導熱、高強度以及高氣密性、高精度各項指標的嚴苛要求。
發明內容
本公開提供一種具有改善的導熱性能、抗拉強度、屈服強度以及成型性能的Al-Si系合金、其制備方法及5G通信基站的散熱件。
根據本公開的一方面,提供一種Al-Si系合金,所述Al-Si系合金包括Al、Si、Fe以及TiCB@TiBC粒子,基于100wt%的所述Al-Si系合金,Si的含量為4.0wt%-14.0wt%、Fe的含量為0.1wt%-1.2wt%,所述TiCB@TiBC粒子包括核部和殼部,所述核部包含B摻雜型TiCB,所述殼部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相,其中,B摻雜型TiCB是指B原子占據TiCx晶體的C空位而形成的TiCB相,TiBC三元相是指由Ti、B和C組成的三元相,其中,x<1。根據本公開的Al-Si系合金,通過在Al-Si系合金中添加TiCB@TiBC粒子,可改善Al-Si系合金的導熱性能、抗拉強度、屈服強度和成型性能,從而使其適合于用作5G通信基站的散熱件的材料。
可選地,所述核部中的C含量可高于所述殼部中的C含量,所述核部中的B含量可低于所述殼部中的B含量,所述B摻雜型TiCB由TiCxBy表示,其中,0.72<x<0.81,0<y<0.17。
可選地,所述Al-Si系合金還可包含AlN粒子。通過在Al-Si系合金中添加AlN,板片狀的共晶硅變為顆粒狀,且分布更加均勻,這有利于減少電子運輸階段板片狀共晶硅對電子的散射作用,從而有利于導熱性能提升。
可選地,所述TiCB@TiBC粒子和所述AlN粒子可以為納米級別。納米級別的TiCB@TiBC粒子和AlN粒子可有效調控熱處理過程中時效相的析出、分布及構型,大幅提高力學性能、導熱性能及加工性能。
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