[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202011224033.6
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112992872A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 李斗煥;卞貞洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/498;H01L23/528;H01L21/56
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

一種半導體封裝件包括：具有貫通開口的框架；第一半導體芯片和第二半導體芯片，第一半導體芯片設置在貫通開口中并且具有其上設置有第一連接焊盤的第一有源表面和與第一有源表面相對的第一無源表面，第二半導體芯片設置在第一半導體芯片上并且具有其上設置有第二連接焊盤的第二有源表面和與所述第二有源表面相對的第二無源表面；第一和第二凸塊，分別電連接到第一連接焊盤和第二連接焊盤；第一和第二虛設凸塊，分別設置在與第一凸塊的水平高度相同的水平高度和第二凸塊的水平高度相同的水平高度；第一和第二柱，分別電連接到第一凸塊和第二凸塊；連接構件，包括電連接到第一柱和第二柱中的每一者的再分布層；以及虛設柱，設置在框架與連接構件之間。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月13日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0166308的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及半導體封裝件。

背景技術

隨著對具有高容量以及減小的厚度和尺寸的電子產品的需求增加，已經開發了各種形式的半導體封裝件。在各種類型的半導體封裝技術中，已經開發了將單個封裝件構造為包括多個半導體芯片的封裝技術。

發明內容

本發明構思的示例性實施例將提供一種半導體封裝件，其可以使用低成本工藝在基板上實現高密度的布線。

根據本發明構思的示例性實施例，一種半導體封裝件包括：框架，所述框架具有貫通開口；多個半導體芯片，所述多個半導體芯片包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片設置在所述貫通開口中，并且具有其上設置有第一連接焊盤的第一有源表面和與所述第一有源表面相對的第一無源表面，所述第二半導體芯片設置在所述第一半導體芯片上，并且具有其上設置有第二連接焊盤的第二有源表面和與所述第二有源表面相對的第二無源表面。所述半導體封裝件還包括：第一凸塊(bump)和第二凸塊，所述第一凸塊和所述第二凸塊分別電連接到所述第一連接焊盤和所述第二連接焊盤；第一虛設凸塊和第二虛設凸塊，所述第一虛設凸塊和所述第二虛設凸塊分別設置在與所述第一凸塊的水平高度相同的水平高度和所述第二凸塊的水平高度相同的水平高度；第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱分別電連接到所述第一凸塊和所述第二凸塊；連接構件，所述連接構件包括電連接到所述第一柱和所述第二柱中的每一者的再分布層；以及虛設柱，所述虛設柱設置在所述框架與所述連接構件之間。

根據本發明構思的示例性實施例，一種半導體封裝件包括：框架，所述框架具有貫通開口；第一半導體芯片，所述第一半導體芯片設置在所述框架的所述貫通開口中，并且具有其上設置有第一連接焊盤的第一有源表面和與所述第一有源表面相對的第一無源表面；第一凸塊圖案，所述第一凸塊圖案包括在所述第一半導體芯片的所述第一有源表面上連接到所述第一連接焊盤的第一凸塊以及不連接到所述第一連接焊盤的至少一個第一虛設凸塊；以及第一填充層，所述第一填充層填充所述框架與所述第一半導體芯片之間的區域，覆蓋所述第一半導體芯片的所述第一無源表面和所述框架的下表面，并且覆蓋所述第一半導體芯片的所述第一有源表面的一部分。

根據本發明構思的示例性實施例，一種半導體封裝件包括：框架，所述框架具有貫通開口；多個半導體芯片；多個填充層，所述多個填充層分別圍繞所述多個半導體芯片的側表面；連接構件，所述連接構件設置在所述多個填充層上；多個柱，所述多個柱設置在所述多個填充層中；以及多個凸塊，所述多個凸塊分別電連接到所述多個半導體芯片。所述多個半導體芯片包括設置在所述貫通開口中的第一半導體芯片以及與所述第一半導體芯片和所述框架部分地交疊的第二半導體芯片。所述多個填充層包括在所述貫通開口中圍繞所述第一半導體芯片的側表面的第一填充層以及圍繞所述第二半導體芯片的側表面的第二填充層。所述多個凸塊包括電連接到所述第一半導體芯片的第一連接焊盤的第一凸塊以及電連接到所述第二半導體芯片的第二連接焊盤的第二凸塊。所述多個柱包括在所述第一填充層上穿透所述第二填充層并且電連接到所述第一凸塊的第一柱以及在所述框架上穿透所述第二填充層的多個虛設柱。

附圖說明