[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011224033.6
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN112992872A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李斗煥;卞貞洙
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/498;H01L23/528;H01L21/56
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

框架，所述框架具有貫通開口；

多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片包括第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述貫通開口中，并且具有其上設(shè)置有第一連接焊盤的第一有源表面和與所述第一有源表面相對的第一無源表面，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體芯片上，并且具有其上設(shè)置有第二連接焊盤的第二有源表面和與所述第二有源表面相對的第二無源表面；

第一凸塊和第二凸塊，所述第一凸塊和所述第二凸塊分別電連接到所述第一連接焊盤和所述第二連接焊盤；

第一虛設(shè)凸塊和第二虛設(shè)凸塊，所述第一虛設(shè)凸塊和所述第二虛設(shè)凸塊分別設(shè)置在與所述第一凸塊的水平高度相同的水平高度和與所述第二凸塊的水平高度相同的水平高度；

第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱分別電連接到所述第一凸塊和所述第二凸塊；

第一連接構(gòu)件，所述第一連接構(gòu)件包括電連接到所述第一柱和所述第二柱中的每一者的第一再分布層；以及

虛設(shè)柱，所述虛設(shè)柱設(shè)置在所述框架與所述第一連接構(gòu)件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一柱的上表面和所述第二柱的上表面與所述虛設(shè)柱的上表面基本上共面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

第一填充層，所述第一填充層覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一有源表面和所述第一無源表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

第二填充層，所述第二填充層覆蓋所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第二有源表面，

其中，所述第二填充層圍繞所述第一柱的至少一部分和所述虛設(shè)柱的至少一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二填充層的至少一部分與所述第一填充層的至少一部分直接接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

第二連接構(gòu)件，所述第二連接構(gòu)件設(shè)置在所述第一填充層與所述第二填充層之間，并且包括第一層間絕緣層、第二再分布層和第一再分布通路。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

其中，所述第一柱的下部的寬度大于所述第一凸塊的寬度，

其中，所述第二柱的下部的寬度大于所述第二凸塊的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一凸塊和所述第二凸塊均具有等于或小于30μm的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

第一絕緣層，所述第一絕緣層在所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一有源表面上覆蓋所述第一凸塊的側(cè)表面和所述第一虛設(shè)凸塊的側(cè)表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層電連接到所述第一再分布層；以及

導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案電連接到所述凸塊下金屬層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

下半導(dǎo)體芯片；以及

內(nèi)插基板，所述內(nèi)插基板設(shè)置在所述下半導(dǎo)體芯片上，

其中，所述導(dǎo)電圖案電連接到所述內(nèi)插基板。