[發(fā)明專利]一種顯示面板的制作方法及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011222708.3 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112366218A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王虎 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板的正面形成金屬層,所述金屬層包括金屬墊;
在所述金屬層上形成薄膜晶體管層;
在所述基板的背面形成綁定電路層;
在對應(yīng)所述金屬墊的位置形成貫穿所述基板的通孔;
在所述通孔內(nèi)和所述基板背面形成連接所述金屬墊和綁定電路層的導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示面板的制作方法,其特征在于,在對應(yīng)所述金屬墊的位置形成貫穿所述基板的通孔的步驟,包括:
在所述基板背面對應(yīng)所述金屬墊的位置涂布光致抗蝕劑;
對所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光;
對曝光后的所述光致抗蝕劑進(jìn)行刻蝕;
基于刻蝕后的所述光致抗蝕劑對所述基板進(jìn)行交替循環(huán)的刻蝕處理和保護(hù)處理;
剝離所述刻蝕后的光致抗蝕劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述顯示面板的制作方法,其特征在于,所述刻蝕處理的時(shí)間為60-100s,所述保護(hù)處理的時(shí)間為90-120s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示面板的制作方法,其特征在于,所述金屬層還包括與所述金屬墊隔開設(shè)置的遮光層,在所述金屬層上形成薄膜晶體管層的步驟,包括:
形成覆蓋所述金屬層的緩沖層;
形成位于所述緩沖層上有源層;
形成位于所述有源層上的柵極絕緣層;
形成位于所述柵極絕緣層上的柵極層;
形成位于所述緩沖層上且覆蓋所述有源層、柵極絕緣層、及柵極層的中間層;
形成位于所述有源層兩端上方且貫穿所述中間層的源極和漏極,所述源極在其下方通過通孔與所述遮光層連接;
形成位于所述中間層上且覆蓋所述源極和漏極的平坦層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示面板的制作方法,其特征在于,相鄰的所述金屬墊交錯排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示面板的制作方法,其特征在于,在所述通孔內(nèi)和所述基板背面形成連接所述金屬墊和綁定電路層的導(dǎo)電層的步驟,包括:采用印刷工藝形成位于所述通孔內(nèi)和基板背面的銀漿,所述銀漿將所述金屬墊和綁定電路層導(dǎo)通。
7.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板正面的金屬層,所述金屬層包括金屬墊;
位于所述金屬層上的薄膜晶體管層;
位于所述基板背面的綁定電路層;
在對應(yīng)所述金屬墊的位置貫穿所述基板的通孔;
位于所述通孔內(nèi)和所述基板背面的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層將所述金屬墊與所述綁定電路層電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述通孔由交替循環(huán)進(jìn)行的刻蝕處理和保護(hù)處理所形成,所述刻蝕處理的時(shí)間為60-100s,所述保護(hù)處理的時(shí)間為90-120s。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬層還包括與所述金屬墊隔開設(shè)置的遮光層,所述薄膜晶體管層包括:
覆蓋所述金屬層的緩沖層;
位于所述緩沖層上有源層;
位于所述有源層上的柵極絕緣層;
位于所述柵極絕緣層上的柵極層;
位于所述緩沖層上且覆蓋所述有源層、柵極絕緣層、及柵極層的中間層;
位于所述有源層兩端上方且貫穿所述中間層的源極和漏極,所述源極在其下方通過通孔與所述遮光層連接;
位于所述中間層上且覆蓋所述源極和漏極的平坦層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,相鄰的所述金屬墊交錯排列。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





