[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011222618.4 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112420740A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫荷靜;邱恒達;周航 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本申請?zhí)岢隽艘环N顯示面板及其制作方法。該顯示面板包括:襯底以及位于襯底上的輔助層與有源層,輔助層與有源層同層設(shè)置;其中,輔助層由疏水性材料構(gòu)成,以及有源層遠離襯底一側(cè)的第一表面與襯底平行。本申請通過輔助層的設(shè)置,以輔助用于形成有源層的材料圖案化形成有源層,提高了形成有源層的材料的利用率,降低了顯示面板的制造成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著人們對顯示面板需求量的提升,改善顯示面板的制造工藝以及結(jié)構(gòu),以降低顯示面板的制造成本是顯示面板的一大重要的發(fā)展方向。
現(xiàn)有的顯示面板的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中,有源層通常采用半導(dǎo)體材料的物理沉積以及后續(xù)的圖案化處理獲得,設(shè)備成本昂貴,且后續(xù)的圖案化工藝除去多余半導(dǎo)體材料,導(dǎo)致半導(dǎo)體材料利用率難以提高,顯示面板的制造成本難以降低。
因此,亟需一種新的顯示面板及其制作方法以解決上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板及其制作方法,用于解決現(xiàn)有的顯示面板由于采用物理沉積以及后續(xù)圖案化處理形成有源層,導(dǎo)致顯示面板的制造成本難以降低的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下:
本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板,襯底以及位于所述襯底上的輔助層與有源層,所述輔助層與所述有源層同層設(shè)置;
其中,所述輔助層由疏水性材料構(gòu)成,以及所述有源層遠離所述襯底一側(cè)的第一表面與所述襯底平行。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述輔助層由第一溶液經(jīng)第一去溶劑化處理形成;
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶劑混合形成。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述第一溶液經(jīng)所述第一去溶劑化處理后形成一疏水性材料層,所述疏水性材料層經(jīng)圖案化處理形成所述輔助層,所述疏水性材料為疏水性全氟樹脂材料。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述有源層由第二溶液經(jīng)第二去溶劑化處理形成,所述第二溶液包括銦元素、鎵元素、及鋅元素。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述第二溶液中銦元素、鎵元素、及鋅元素的含量比為3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述有源層遠離所述襯底一側(cè)的所述第一表面與所述輔助層的第二表面位于同一平面內(nèi)。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述顯示面板還包括位于所述有源層與所述襯底之間的柵極;
所述柵極包括與所述襯底平行的第一區(qū)以及位于所述第一區(qū)兩側(cè)的第二區(qū),所述第二區(qū)與所述襯底形成的夾角為80至110度。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述顯示面板還包括位于柵極以及所述有源層之間的絕緣層,所述絕緣層與所述輔助層一體設(shè)置。
本申請?zhí)峁┑娘@示面板中,所述顯示面板還包括位于所述輔助層上的凸起,所述凸起遠離所述襯底的一側(cè)為弧形;
所述弧形向遠離所述襯底的方向凸出。
本申請還提供了一種顯示面板的制作方法,包括:
在襯底上經(jīng)第一預(yù)設(shè)工藝形成輔助層;
在所述襯底上經(jīng)第二預(yù)設(shè)工藝形成有源層;
在所述有源層上經(jīng)第三預(yù)設(shè)工藝形成源漏極層;
其中,所述輔助層由疏水性材料構(gòu)成,以及所述有源層遠離所述襯底的一側(cè)的第一表面與所述襯底平行。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





