[發明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請號： | 202011222618.4 | 申請日： | 2020-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN112420740A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 孫荷靜;邱恒達;周航 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，包括襯底以及位于所述襯底上的輔助層與有源層，所述輔助層與所述有源層同層設置；
其中，所述輔助層由疏水性材料構成，以及所述有源層遠離所述襯底一側的第一表面與所述襯底平行。
2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述輔助層由第一溶液經第一去溶劑化處理形成；
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶劑混合形成。
3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一溶液經所述第一去溶劑化處理后形成一疏水性材料層，所述疏水性材料層經圖案化處理形成所述輔助層，所述疏水性材料為疏水性全氟樹脂材料。
4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層由第二溶液經第二去溶劑化處理形成，所述第二溶液包括銦元素、鎵元素、及鋅元素。
5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第二溶液中銦元素、鎵元素、及鋅元素的含量比為3.2～4.8:0.8～1.2:0.8～1.2。
6.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層遠離所述襯底一側的所述第一表面與所述輔助層的第二表面位于同一平面內。
7.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述有源層與所述襯底之間的柵極；
所述柵極包括與所述襯底平行的第一區以及位于所述第一區兩側的第二區，所述第二區與所述襯底形成的夾角為80至110度。
8.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于柵極以及所述有源層之間的絕緣層，所述絕緣層與所述輔助層一體設置。
9.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述輔助層上的凸起，所述凸起遠離所述襯底的一側為弧形；
所述弧形向遠離所述襯底的方向凸出。
10.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底上經第一預設工藝形成輔助層；
在所述襯底上經第二預設工藝形成有源層；
在所述有源層上經第三預設工藝形成源漏極層；
其中，所述輔助層由疏水性材料構成，以及所述有源層遠離所述襯底的一側的第一表面與所述襯底平行。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
