[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011221770.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN112992914A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 禹成妍;洪祥準(zhǔn);樸珍洙;千志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/11548
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：第一柵極堆疊，包括多個(gè)第一柵電極；第二柵極堆疊，布置在第一柵極堆疊上并包括多個(gè)第二柵電極；以及多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，布置在穿透第一柵極堆疊和第二柵極堆疊的多個(gè)溝道孔中。每個(gè)溝道孔包括穿透第一柵極堆疊的第一溝道孔部分和穿透第二柵極堆疊的第二溝道孔部分，第一溝道孔部分的上端在第二方向上的第二寬度與其在第一方向上的第一寬度的比率小于第二溝道孔部分的上端在第二方向上的第四寬度與其在第一方向上的第三寬度的比率。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件和制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

隨著存儲(chǔ)器件的集成度提高，作為具有一般的平面晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件的替換，已經(jīng)提出了具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件。具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件包括在襯底上沿垂直方向延伸的溝道結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式針對(duì)一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：第一柵極堆疊，布置在襯底上并包括交替布置的多個(gè)第一柵電極和多個(gè)第一絕緣層；第二柵極堆疊，布置在第一柵極堆疊上并包括交替布置的多個(gè)第二柵電極和多個(gè)第二絕緣層；以及多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，布置在多個(gè)溝道孔中，所述多個(gè)溝道孔穿透第一柵極堆疊和第二柵極堆疊并在與襯底的頂表面平行的第一方向和第二方向上彼此間隔開。所述多個(gè)溝道孔中的每個(gè)可以包括穿透第一柵極堆疊的第一溝道孔部分和穿透第二柵極堆疊的第二溝道孔部分，第一溝道孔部分的第一溝道孔上端在第二方向上的第二寬度與其在第一方向上的第一寬度的比率可以小于第二溝道孔部分的第二溝道孔上端在第二方向上的第四寬度與其在第一方向上的第三寬度的比率。

實(shí)施方式還針對(duì)一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：多個(gè)第一柵電極，布置在襯底上并在垂直于襯底的頂表面的方向上彼此間隔開；多個(gè)第二柵電極，布置在所述多個(gè)第一柵電極上，并在垂直于襯底的頂表面的方向上彼此間隔開；多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，在穿透所述多個(gè)第一柵電極和所述多個(gè)第二柵電極的多個(gè)溝道孔中；以及公共源極線區(qū)域，在所述多個(gè)第一柵電極和所述多個(gè)第二柵電極的一側(cè)沿平行于襯底的頂表面的第一方向延伸。所述多個(gè)溝道孔中的每個(gè)可以包括穿透所述多個(gè)第一柵電極的第一溝道孔部分和穿透所述多個(gè)第二柵電極的第二溝道孔部分，第一溝道孔部分的第一溝道孔上端在第二方向上的第二寬度與其在第一方向上的第一寬度的比率可以小于第二溝道孔部分的第二溝道孔上端在第二方向上的第四寬度與其在第一方向上的第三寬度的比率。

實(shí)施方式還針對(duì)一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：多個(gè)第一柵電極，布置在襯底上并在垂直于襯底的頂表面的方向上彼此間隔開；多個(gè)第二柵電極，布置在所述多個(gè)第一柵電極上并在垂直于襯底的頂表面的方向上彼此間隔開；多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，在穿透所述多個(gè)第一柵電極和所述多個(gè)第二柵電極的多個(gè)溝道孔中；以及公共源極線，在所述多個(gè)第一柵電極和所述多個(gè)第二柵電極的一側(cè)沿平行于襯底的頂表面的第一方向延伸。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的每個(gè)可以包括在與最上面的第一柵電極的高度相同的高度處的第一水平截面和在與最上面的第二柵電極的高度相同的高度處的第二水平截面，第一水平截面可以具有擁有在第一方向上的長(zhǎng)軸的橢圓形形狀，第二水平截面具有擁有在第二方向上的長(zhǎng)軸的橢圓形形狀，第二方向平行于襯底的頂表面并垂直于第一方向。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施方式，特征將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員變得明顯，附圖中：

圖1示出了根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)單元陣列的等效電路圖；

圖2是示出根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的代表性配置的俯視圖；

圖3是沿圖2中的線A1-A1'截取的截面圖；

圖4是沿圖2中的線A2-A2'截取的截面圖；

圖5示出了相對(duì)于圖2中的區(qū)域B1在圖3的第一至第三垂直高度(vertical level)處的水平截面圖；

圖6是示意性地示出在第一溝道部分與第二溝道部分之間的連接部分處的布置的俯視圖。