[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011221770.0
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112992914A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 禹成妍;洪祥準;樸珍洙;千志成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11548
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種半導體器件，包括：

第一柵極堆疊，布置在襯底上并且包括交替布置的多個第一柵電極和多個第一絕緣層；

第二柵極堆疊，布置在所述第一柵極堆疊上并且包括交替布置的多個第二柵電極和多個第二絕緣層；以及

多個溝道結構，布置在多個溝道孔中，所述多個溝道孔穿透所述第一柵極堆疊和所述第二柵極堆疊并且在與所述襯底的頂表面平行的第一方向和第二方向上彼此間隔開，其中：

所述多個溝道孔中的每個包括穿透所述第一柵極堆疊的第一溝道孔部分和穿透所述第二柵極堆疊的第二溝道孔部分，以及

所述第一溝道孔部分的第一溝道孔上端在所述第二方向上的第二寬度與其在所述第一方向上的第一寬度的比率小于所述第二溝道孔部分的第二溝道孔上端在所述第二方向上的第四寬度與其在所述第一方向上的第三寬度的比率。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二溝道孔部分的第二溝道孔下端在所述第二方向上的第六寬度與其在所述第一方向上的第五寬度的比率小于所述第二溝道孔部分的所述第二溝道孔上端在所述第二方向上的所述第四寬度與其在所述第一方向上的所述第三寬度的所述比率。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中：

所述第二溝道孔下端在所述第一方向上的所述第五寬度小于所述第一溝道孔上端在所述第一方向上的所述第一寬度，以及

所述第二溝道孔下端在所述第二方向上的所述第六寬度小于所述第一溝道孔上端在所述第二方向上的所述第二寬度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括穿透所述第一柵極堆疊和所述第二柵極堆疊的公共源極線，所述公共源極線在字線切割區中并且在所述第一方向上延伸。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第二溝道孔上端在與所述多個第二柵電極之中的最上面的第二柵電極相同的垂直高度處具有擁有橢圓形形狀的水平截面，以及

所述橢圓形形狀的長軸的長度對應于所述第四寬度，并且所述橢圓形形狀的短軸的長度對應于所述第三寬度。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一溝道孔上端在與所述多個第一柵電極之中的最上面的第一柵電極相同的垂直高度處具有擁有橢圓形形狀的水平截面，以及

所述橢圓形形狀的長軸的長度對應于所述第一寬度，并且所述橢圓形形狀的短軸的長度對應于所述第二寬度。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一溝道孔上端在與所述多個第一柵電極之中的最上面的第一柵電極相同的垂直高度處具有擁有橢圓形形狀的水平截面，以及

所述橢圓形形狀的長軸的長度對應于所述第二寬度，并且所述橢圓形形狀的短軸的長度對應于所述第一寬度。

8.如權利要求2所述的半導體器件，其中：

所述第一溝道孔上端在與所述多個第一柵電極之中的最上面的第一柵電極相同的垂直高度處具有擁有圓形形狀的水平截面，以及

所述第二溝道孔下端在與所述多個第二柵電極之中的最下面的第二柵電極相同的垂直高度處具有圓形形狀的水平截面。

9.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括第三柵極堆疊，所述第三柵極堆疊布置在所述第二柵極堆疊上并且包括交替布置的多個第三柵電極和多個第三絕緣層，

其中所述多個溝道孔中的每個包括穿透所述第一柵極堆疊的所述第一溝道孔部分、穿透所述第二柵極堆疊的所述第二溝道孔部分和穿透所述第三柵極堆疊的第三溝道孔部分。