[發明專利]存儲器及其制備方法在審
| 申請號: | 202011221712.8 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN114446956A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 阮呂軍昇 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種存儲器,其特征在于,包括基底,所述基底設置有控制區,所述控制區的兩側分別設置有存儲區;
每個所述存儲區包括多個第一有源區,多個所述第一有源區沿第一方向排布成若干行,每個所述第一有源區設置有第一接觸區,且每行所述第一有源區內的各所述第一接觸區連接一條位線;
所述控制區包括沿第一方向排布且與若干行第一有源區一一對應的若干個第二有源區;
每個所述第二有源區設置有第一柵極以及位于所述第一柵極兩側的第一源漏區和第二源漏區,所述控制區內的各所述第一柵極相互連接以構成控制線;
在同一個所述第二有源區內,所述第一源漏區和所述第二源漏區各自與對應的一條所述位線連接,且與所述第一源漏區連接的所述位線和與所述第二源漏區連接的所述位線位于所述控制線的兩側。
2.根據權利要求1所述的存儲器,其特征在于,在每個所述第二有源區內,所述第一源漏區上設置有第一導電部,所述第一源漏區通過所述第一導電部與對應的一條所述位線連接。
3.根據權利要求2所述的存儲器,其特征在于,在每個所述第二有源區內,所述第二源漏區上設置有第二導電部,所述第二源漏區通過所述第二導電部與對應的一條所述位線連接。
4.根據權利要求3所述的存儲器,其特征在于,所述第一導電部和所述第二導電部位于同一層。
5.根據權利要求3所述的存儲器,其特征在于,所述第一接觸區上設置有第三導電部;
在每個所述存儲區的每行所述第一有源區內,各所述第一接觸區上的所述第三導電部連接一條所述位線。
6.根據權利要求5所述的存儲器,其特征在于,所述第一導電部、所述第二導電部以及第三導電部位于同一層。
7.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器,其特征在于,每個所述存儲區內,多個所述第一有源區沿第二方向排布成若干列,任意相鄰兩行中的所述第一有源區中,其中一行的所有第一有源區所在列與另一行的所有第一有源區所在列交替間隔設置,且同一列中的各所述第一有源區與相同兩條字線相交,任意相鄰列的所述第一有源區中,其中一列第一有源區與另一列第一有源區彼此靠近的端部與同一所述字線相交,其中,所述第二方向與所述第一方向垂直設置;
同一列中的每個所述第一有源區設置有兩個第二柵極,兩個所述第二柵極分別與該第一有源區交錯設置的兩條所述字線連接。
8.根據權利要求7所述的存儲器,其特征在于,每個所述第一有源區上的所述第一接觸區位于兩個所述第二柵極之間。
9.根據權利要求7所述的存儲器,其特征在于,所述第一柵極和所述第二柵極位于同一層。
10.根據權利要求7所述的存儲器,其特征在于,每個所述第一有源區還包括設置在每個所述第二柵極的背離所述第一接觸區一側的第二接觸區,每個所述第二接觸區與對應的電荷存儲元件連接。
11.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器,其特征在于,所述基底上設置有多個所述控制區以及多個所述存儲區,各所述控制區與各所述存儲區交替間隔設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





