[發(fā)明專利]用白炭黑和TiCl4 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011220180.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112246278B | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭洪臣;高碧澤;劉宏偉;祝全仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J29/89 | 分類號(hào): | B01J29/89;C01B39/08;C07D301/12;C07D303/04 |
| 代理公司: | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 炭黑 ticl base sub | ||
1.用白炭黑和TiCl4氣固相反應(yīng)制備高選擇性丙烯與過氧化氫氣相環(huán)氧化催化劑的方法,其特征在于,步驟如下:
第一步,對(duì)白炭黑原料進(jìn)行干燥和焙燒預(yù)處理
對(duì)白炭黑原料進(jìn)行干燥的溫度為30~200℃,干燥的時(shí)間為0.5小時(shí)~100小時(shí),對(duì)干燥后的白炭黑原料進(jìn)行焙燒處理的溫度為200~800℃,焙燒處理的時(shí)間為0.5小時(shí)~10小時(shí),確保徹底除去白炭黑原料表面的水分和其它吸附雜質(zhì);
第二步,在經(jīng)過預(yù)處理的白炭黑上通過氣固相反應(yīng)嫁接TiCl4
氣固相嫁接反應(yīng)的溫度為100~700℃,氣固相嫁接反應(yīng)的持續(xù)時(shí)間為0.5小時(shí)~100小時(shí);在預(yù)處理的白炭黑上通過氣固相反應(yīng)嫁接TiCl4后,對(duì)嫁接物進(jìn)行氮?dú)獯祾吆筇幚恚_保將其中夾帶的未反應(yīng)TiCl4全部除去;
第三步,用白炭黑的TiCl4嫁接物原料在極少量四丙基季銨陽離子TPA+模板劑存在下水熱合成鈦硅沸石TS-1
水熱合成是指將白炭黑的TiCl4嫁接物分散在四丙基季銨陽離子TPA+模板劑溶液中,然后將混合物裝入晶化釜中進(jìn)行水熱晶化處理;白炭黑的TiCl4嫁接物在四丙基季銨陽離子TPA+模板劑溶液中分散后不會(huì)形成凝膠,而是以固體沉淀物的形式存在;
水熱合成的條件如下:模硅比TPA+/SiO2范圍為0.01~0.10;水硅比H2O/SiO2范圍為0.3~100;水熱晶化溫度范圍為80~180℃;水熱晶化時(shí)間范圍為2小時(shí)~240小時(shí);
第四步,在四丙基季銨陽離子TPA+模板劑存在下用堿金屬離子對(duì)第三步的鈦硅沸石TS-1進(jìn)行程度受控的水熱改性處理
用含有四丙基季銨陽離子TPA+的堿金屬氫氧化物溶液對(duì)鈦硅分子篩TS-1進(jìn)行程度受控的水熱處理,水熱處理后堿金屬陽離子必須保留在鈦硅分子篩上,而且至少一部分堿金屬陽離子以平衡陽離子形式處于骨架鈦附近的硅羥基上修飾骨架鈦的微環(huán)境;其中TPA+離子濃度為0.10mol/L以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用白炭黑和TiCl4氣固相反應(yīng)制備高選擇性丙烯與過氧化氫氣相環(huán)氧化催化劑的方法,其特征在于,所述第一步中:
干燥溫度為80~120℃,干燥時(shí)間為3小時(shí)~12小時(shí);
焙燒處理溫度為250~700℃,焙燒處理時(shí)間為1小時(shí)~3小時(shí);
白炭黑為氣相法白炭黑或沉淀法白炭黑;
干燥過程在靜止的、干燥空氣中進(jìn)行,或者在流動(dòng)氣氛中進(jìn)行,當(dāng)在流動(dòng)氣氛中時(shí),流動(dòng)氣氛為干燥的空氣或者氮?dú)猓?/p>
為了防止干燥和焙燒處理后的白炭黑在轉(zhuǎn)移過程中再度吸附空氣中水汽和雜質(zhì),上述干燥和焙燒預(yù)處理在白炭黑與TiCl4進(jìn)行氣固相嫁接反應(yīng)的反應(yīng)器中原位、連續(xù)地進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用白炭黑和TiCl4氣固相反應(yīng)制備高選擇性丙烯與過氧化氫氣相環(huán)氧化催化劑的方法,其特征在于,所述第一步中,焙燒處理溫度為300~500℃,焙燒處理時(shí)間為2小時(shí)~3小時(shí)。
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