[發明專利]硅片刻蝕殘留在線分揀裝置及具有該裝置的生產線及方法在審
| 申請號: | 202011218821.4 | 申請日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN112151426A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 莊宇峰;袁聲召;崔艷峰;萬義茂 | 申請(專利權)人: | 東方日升新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18;B07C5/342 |
| 代理公司: | 南京中高專利代理有限公司 32333 | 代理人: | 祝進 |
| 地址: | 315600 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 刻蝕 殘留 在線 分揀 裝置 具有 生產線 方法 | ||
本發明涉及太陽能電池領域,尤其涉及硅片刻蝕殘留在線分揀裝置及具有該裝置的生產線及方法,分揀裝置包括第一機架,所述第一機架上設置第一皮帶傳送機,所述第一皮帶傳送機的上方設置有一個暗箱,所述暗箱內設置有近紅外光源和近紅外CCD相機,所述近紅外光源和近紅外CCD相機連接有計算機,所述計算機連接有布置在第一皮帶傳送機一側的取片裝置,所述第一皮帶傳送機旁設置有回收裝置,所述取片裝置和回收裝置布置在暗箱下游,本發明還提供了一種包含該在線分揀裝置的生產線,本發明還提供了一種在線監控分揀的方法,本發明實現了硅片的在線檢測,自動化分揀,確定了統一的標準,提高了分揀的準確率,提高了太陽能電池片的生產效率及良品率。
技術領域
本發明涉及太陽能電池領域,尤其涉及硅片刻蝕殘留在線分揀裝置及具有該裝置的生產線及方法。
背景技術
在工業化硅基太陽電池(除一些特殊工藝電池,如HIT電池)制備過程中,刻蝕工藝是必不可少的步驟。其主要用于P型硅片磷擴散、N型硅片硼擴散后的去背結以及一些特殊工藝中去繞鍍、去掩模環節。在刻蝕工序中如果刻蝕均勻性不好會導致出現刻蝕殘留問題,導致不良品的產生。
以現今熱門的N型TOPCon電池為例,其制備流程主要包括:制絨、正面硼擴散、背結刻蝕、背面隧穿氧化及多晶硅沉積、背面磷擴散、刻蝕去除正面繞鍍、正面氧化鋁沉積、正面氮化硅沉積、背面氮化硅沉積及絲網印刷和燒結。
其中,在背結刻蝕過程中,需要將熱擴散在背面形成的硼結完全去除,否則會導致電池正背面短路,造成漏電,影響電池電性能,產生不良品。
此外,背面隧穿氧化及多晶硅沉積、背面磷擴散過程也會在電池正面形成繞鍍,去繞鍍刻蝕工序容易出現刻蝕不完全現象,留有殘留,也會造成電池正背面短路,影響電池電性能,同時也會造成電池外觀不良,產生不良品。
目前,業內對去背結刻蝕工序的監控基本采用抽測,而對去除poly繞鍍的刻蝕工藝監控一般由刻蝕工藝人員肉眼觀察刻蝕線進行監控,兩種監控方法效率低并且都易出現錯檢和漏檢。
發明內容
本發明的目的是:克服現有技術中的不足,提供硅片刻蝕殘留在線分揀裝置及具有該裝置的生產線及方法。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案如下:
硅片刻蝕殘留在線分揀裝置,包括第一機架,所述第一機架上設置第一皮帶傳送機,所述第一皮帶傳送機的上方設置有一個暗箱,所述暗箱內設置有近紅外光源和近紅外CCD相機,所述近紅外光源和近紅外CCD相機連接有計算機,所述計算機連接有布置在第一皮帶傳送機一側的取片裝置,所述第一皮帶傳送機一側設置有回收裝置,所述取片裝置和回收裝置布置在暗箱下游。
進一步的,所述回收裝置包括導向板和儲料盒,所述儲料盒位于導向板下方。
進一步的,所述回收裝置包括第二皮帶傳送機機架,第二皮帶傳送機機架上安裝有第二皮帶傳送機,所述第二皮帶傳送機將不良品硅片輸送到刻蝕端繼續刻蝕。
進一步的,所述第一皮帶傳送機位于取片裝置和回收裝置之間,所述取片裝置包括推桿,所述推桿水平設置在第一皮帶傳送機旁,推桿運動方向與第一皮帶傳送機垂直,所述推桿由步進電機驅動,所述步進電機連接計算機。
進一步的,所述取片裝置包括支座,所述支座上設置有垂直移動裝置和水平移動裝置,所述水平移動裝置上設置有吸盤,所述水平移動裝置的活動范圍包括第一皮帶傳送機的局部和回收裝置的局部。
本發明還提供一種太陽能硅片的生產流水線,所述生產流水線包括上述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置。
本發明還提供一種硅片刻蝕殘留在線監控分揀方法,所述方法包括以下步驟:
步驟一,將待測硅片引上第一皮帶傳送機起點;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東方日升新能源股份有限公司,未經東方日升新能源股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011218821.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





