[發(fā)明專利]硅片刻蝕殘留在線分揀裝置及具有該裝置的生產(chǎn)線及方法

在審

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• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112151426A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊宇峰;袁聲召;崔艷峰;萬義茂
• 申請（專利權(quán)）人: 東方日升新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18;B07C5/342
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 祝進

1.硅片刻蝕殘留在線分揀裝置，其特征在于：包括第一機架，所述第一機架上設(shè)置第一皮帶傳送機，所述第一皮帶傳送機的上方設(shè)置有一個暗箱，所述暗箱內(nèi)設(shè)置有近紅外光源和近紅外CCD相機，所述近紅外光源和近紅外CCD相機連接有計算機，所述計算機連接有布置在第一皮帶傳送機一側(cè)的取片裝置，所述第一皮帶傳送機一側(cè)設(shè)置有回收裝置，所述取片裝置和回收裝置布置在暗箱下游。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置，其特征在于：所述回收裝置包括導(dǎo)向板和儲料盒，所述儲料盒位于導(dǎo)向板下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置，其特征在于：所述回收裝置包括第二皮帶傳送機機架，第二皮帶傳送機機架上安裝有第二皮帶傳送機，所述第二皮帶傳送機將不良品硅片輸送到刻蝕端繼續(xù)刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3任一項所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置，其特征在于：所述第一皮帶傳送機位于取片裝置和回收裝置之間，所述取片裝置包括推桿，所述推桿水平設(shè)置在第一皮帶傳送機旁，推桿運動方向與第一皮帶傳送機垂直，所述推桿由步進電機驅(qū)動，所述步進電機連接計算機。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3任一項所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置，其特征在于：所述取片裝置包括支座，所述支座上設(shè)置有垂直移動裝置和水平移動裝置，所述水平移動裝置上設(shè)置有吸盤，所述水平移動裝置的活動范圍包括第一皮帶傳送機的局部和回收裝置的局部。

6.一種太陽能硅片的生產(chǎn)流水線，其特征在于：所述生產(chǎn)流水線包括如權(quán)利要求1至5中任一項所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置。

7.一種如權(quán)利要求1-5中任一項所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置的在線監(jiān)控分揀方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟一，將待測硅片引上皮帶傳送機起點；

步驟二，待待測硅片流入暗箱，計算機控制近紅外光源發(fā)光，計算機控制近紅外CCD相機拍攝相片，計算機根據(jù)相片的亮度值判斷待測硅片是否合格；

步驟三，如判定為不良品，待測試硅片流出暗箱，計算機控制取片裝置將不良品硅片引入回收裝置，如判定為良品，則讓硅片沿著第一皮帶傳送機繼續(xù)流向下游。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置的在線監(jiān)控分揀方法，其特征在于：所述步驟二中判斷硅片是否合格的方法是使用計算機測量出所拍攝相片的最大亮度值和平均亮度值，將最大亮度值與平均亮度值的比值與常數(shù)T進行比較，所述比值若大于常數(shù)T則判定待測硅片不合格，所述比值若小于等于常數(shù)T則判定待測硅片合格。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置的在線監(jiān)控分揀方法，其特征在于：所述近紅外光源的光源強度單位為Sun時，所述近紅外CCD相機的曝光時間單位為s時，所述近紅外光源的光源強度與近紅外CCD相機曝光時間的乘積大于等于0.02Sun·s，小于等于0.5Sun·s。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片刻蝕殘留在線分揀裝置的在線監(jiān)控分揀方法，其特征在于：當(dāng)近紅外CCD相機曝光時間為0.05s，近紅外光源強度為1Sun時，所述常數(shù)T取1.2。