[發明專利]半導體封裝方法及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202011218449.7
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114446799A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

本申請提供一種半導體封裝方法及半導體封裝結構。半導體封裝方法包括：形成包封結構，包封結構包括第一包封層及第一裸片，第一裸片的正面設有焊墊；在第一裸片的正面形成第一導電結構，第一導電結構包括第一再布線層以及第一導電凸柱；將第二裸片貼裝在第一再布線層；形成第二導電結構，第二導電結構將第一導電凸柱與第二裸片的焊墊電連接；在第一包封層上形成通孔；形成第三導電結構，第三導電結構通過位于通孔中的第一導電部與第一導電結構電連接；形成封裝結構件，封裝結構件包括第二包封層、第三裸片及第四導電結構；第四導電結構與第三裸片的焊墊電連接；將封裝結構件固定在第三導電結構一側，第四導電結構與第三導電結構電連接。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體封裝方法及半導體封裝結構。

背景技術

在半導體封裝技術中，常常將具有不同功能的裸片封裝在一個封裝結構中，以形成特定作用，以得到多芯片組件multi-chip module(MCM)，多芯片組件具有高性能和多功能化等優勢。

隨著電子設備小型化輕量化的發展，結構緊湊、體積小的多芯片組件受到越來越多的市場青睞。因此如何減小多芯片組件的體積成為研究的熱點。

發明內容

本申請實施例的第一方面提供了一種半導體封裝方法。所述半導體封裝方法包括：

形成包封結構，所述包封結構包括第一包封層及第一裸片，所述第一包封層上設有內凹的腔體，所述第一裸片位于所述腔體內，所述第一裸片具有正面，所述第一裸片的正面設有焊墊；

在所述第一裸片的正面形成第一導電結構，所述第一導電結構包括與所述第一裸片的焊墊電連接的第一再布線層以及位于所述第一再布線層背離所述第一裸片一側的第一導電凸柱；

將第二裸片貼裝在所述第一再布線層背離所述第一裸片的一側，所述第二裸片具有正面，所述第二裸片的正面背離所述第一再布線層，所述第二裸片的正面設有焊墊；

形成第二導電結構，所述第二導電結構將所述第一導電凸柱與所述第二裸片的焊墊電連接；

在所述第一包封層上形成通孔；

形成第三導電結構，所述第三導電結構位于所述第一包封層背離所述第一裸片的正面的一側，通過位于所述通孔中的第一導電部與所述第一導電結構電連接；

形成封裝結構件，所述封裝結構件包括第二包封層、第三裸片及第四導電結構，所述第二包封層上設有內凹的容納腔，所述第三裸片位于所述容納腔內，所述第三裸片具有正面，所述第三裸片的正面設有焊墊；所述第四導電結構位于所述第三裸片的正面，與所述第三裸片的焊墊電連接；

將所述封裝結構件固定在所述第三導電結構背離所述第二導電結構的一側，使所述第四導電結構與所述第三導電結構電連接。

在一個實施例中，所述第一包封層包括相對的第一表面與第二表面，所述第一表面背離所述第一導電結構，所述第一再布線層在所述第一表面上的正投影的一部分位于所述第一裸片在所述第一表面上的正投影之外；

所述第一導電凸柱在所述第一表面上的正投影位于所述第一裸片在所述第一表面上的正投影之外。

在一個實施例中，所述形成第二導電結構之前，所述半導體封裝方法還包括：在所述第二裸片背離所述第一裸片的一側形成第一介電層；所述第一介電層覆蓋所述第一再布線層，所述第一介電層上設有暴露所述第二裸片的焊墊的第一開孔，所述第一導電凸柱的表面露出所述第一介電層；所述第二導電結構包括填充在所述第一開孔內的第二導電部，所述第二導電部將所述第二裸片的焊墊電連接；

或者，