[發明專利]半導體封裝方法及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202011218449.7
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114446799A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

1.一種半導體封裝方法，其特征在于，所述半導體封裝方法包括：

形成包封結構，所述包封結構包括第一包封層及第一裸片，所述第一包封層上設有內凹的腔體，所述第一裸片位于所述腔體內，所述第一裸片具有正面，所述第一裸片的正面設有焊墊；

在所述第一裸片的正面形成第一導電結構，所述第一導電結構包括與所述第一裸片的焊墊電連接的第一再布線層以及位于所述第一再布線層背離所述第一裸片一側的第一導電凸柱；

將第二裸片貼裝在所述第一再布線層背離所述第一裸片的一側，所述第二裸片具有正面，所述第二裸片的正面背離所述第一再布線層，所述第二裸片的正面設有焊墊；

形成第二導電結構，所述第二導電結構將所述第一導電凸柱與所述第二裸片的焊墊電連接；

在所述第一包封層上形成通孔；

形成第三導電結構，所述第三導電結構位于所述第一包封層背離所述第一裸片的正面的一側，通過位于所述通孔中的第一導電部與所述第一導電結構電連接；

形成封裝結構件，所述封裝結構件包括第二包封層、第三裸片及第四導電結構，所述第二包封層上設有內凹的容納腔，所述第三裸片位于所述容納腔內，所述第三裸片具有正面，所述第三裸片的正面設有焊墊；所述第四導電結構位于所述第三裸片的正面，與所述第三裸片的焊墊電連接；

將所述封裝結構件固定在所述第三導電結構背離所述第二導電結構的一側，使所述第四導電結構與所述第三導電結構電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述第一包封層包括相對的第一表面與第二表面，所述第一表面背離所述第一導電結構，所述第一再布線層在所述第一表面上的正投影的一部分位于所述第一裸片在所述第一表面上的正投影之外；

所述第一導電凸柱在所述第一表面上的正投影位于所述第一裸片在所述第一表面上的正投影之外。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述形成第二導電結構之前，所述半導體封裝方法還包括：在所述第二裸片背離所述第一裸片的一側形成第一介電層；所述第一介電層覆蓋所述第一再布線層，所述第一介電層上設有暴露所述第二裸片的焊墊的第一開孔，所述第一導電凸柱的表面露出所述第一介電層；所述第二導電結構包括填充在所述第一開孔內的第二導電部，所述第二導電部將所述第二裸片的焊墊電連接；

或者，

所述將第二裸片貼裝在所述第一再布線層背離所述第一裸片的一側，包括：將所述第一再布線層背離所述第一裸片的一側施加介電材料；對所述介電材料加熱，以使所述介電材料的粘度減小，并將第二裸片置于所述介電材料中；繼續對所述介電材料加熱，在所述介電材料降溫后固化形成第一介電層，并使所述第二裸片固定在所述第一介電層中；所述第一介電層覆蓋所述第一再布線層，所述第一介電層上設有暴露所述第二裸片的焊墊的第一開孔，所述第一導電凸柱的表面露出所述第一介電層；所述第二導電結構包括填充在所述第一開孔內的第二導電部，所述第二導電部將所述第二裸片的焊墊電連接。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述形成第三導電結構之后，且在所述將所述封裝結構件固定在所述第三導電結構背離所述第二導電結構的一側之前，所述半導體封裝方法還包括：

將預布線基板固定在所述第三導電結構背離所述第一裸片的一側，所述預布線基板包括預布線線路，所述預布線線路與所述第三導電結構電連接；所述封裝結構件固定在所述預布線基板背離所述第三導電結構的一側，所述第三導電結構通過所述預布線線路與所述第四導電結構電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述將預布線基板固定在所述第三導電結構背離所述第一裸片的一側之后，所述半導體封裝方法還包括：

形成第二介電層，所述第二介電層包覆所述預布線基板，所述預布線線路背離所述第一裸片的一側露出所述第二介電層。