[發明專利]存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與記憶裝置

有效

• 申請號: 202011217569.5
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN112214348B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 楊宗杰;許鴻榮
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G06F12/0802;G11C16/08;G06F11/14;G11C29/52;G11C29/42;G06F12/02;H03M13/11;G11C7/10;G11C16/04;G11C11/56;G11C29/44;H03M13/29
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種存取一閃存模塊的方法，其中所述閃存模塊是包括了多個閃存芯片的一立體閃存模塊，每一個閃存芯片包括了多個區塊，每一個區塊包括了多個數據頁；以及所述方法包括有：規劃所述多個閃存芯片以使得所述多個閃存芯片具有至少一第一超級區塊以及至少一第二超級區塊；以及指派所述至少一第二超級區塊以用來儲存在一數據寫入至所述至少一第一超級區塊的過程中所編碼產生的多組暫時性的校驗碼。本發明的有益之處于，除了可以對數據寫入錯誤、字線斷路以及字線短路所造成的數據讀取錯誤進行更正之外，也可以大幅降低閃存控制器中緩沖存儲器的容量需求，故可以大幅降低閃存控制器的成本以及閃存模塊的使用效率。

本申請是申請日為2017年04月26日、申請號為201710280253.2、發明創造名稱為“存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與記憶裝置”的中國發明申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及閃存，尤其是涉及一種存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與記憶裝置。

背景技術

為了讓閃存能夠有更高的密度以及更大的容量，閃存的制程也朝向立體化的發展，而產生了幾種不同的立體NAND型閃存(3D?NAND-type?flash)。在立體NAND型閃存中，由于整體結構的不同以及浮閘形狀位置的改變，因此在數據的寫入以及讀取上也較傳統的平面NAND型閃存多出了些許的問題。舉例來說，在某些立體NAND型閃存中，會將多條字線(word?line)定義為一字線組，而所述字線組會共同具有部分的控制電路，進而導致當數據寫入到所述字線組的一條字在線的浮閘晶體管發生失敗時(寫入失敗)，會連帶導致所述字線組的其他字在線的浮閘晶體管的數據發生錯誤；此外，若是所述字線組中的一條字線發生斷路或短路的狀況時，也會連帶影響到所述字線組的其他字在線的浮閘晶體管的數據發生錯誤，因此，如何就上述問題提出一種錯誤更正方式，以盡可能地維持數據的正確性，且又不會浪費存儲器空間以節省成本，是一個重要的課題。

發明內容

因此，本發明的目的的一在于提出一種存取一閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與記憶裝置，其使用類似容錯式磁盤陣列(Redundant?Array?of?Independent?Disks，RAID)的錯誤更正方式，但是卻不會大幅浪費閃存空間，且在閃存控制器的處理過程中也僅需要很少量的緩沖存儲器空間，以解決現有技術中的問題。

在本發明的一個實施例中，公開了一種存取一閃存模塊的方法，其中所述閃存模塊是一立體閃存模塊，所述閃存模塊包括了多個閃存芯片，每一個閃存芯片包括了多個多層式儲存區塊以及多個單層式儲存區塊，每一個區塊包括了多個數據頁；每一個區塊包括了分別位于多個不同平面的多條字線以及位線來控制的多個浮閘晶體管，且每一條字在線的浮閘晶體管構成了所述多個數據頁中的至少一數據頁；以及所述方法包括有：對一數據進行編碼以產生至少一組校驗碼，其中所述數據是準備寫入到所述多個閃存芯片的一第一超級區塊中，其中所述第一超級區塊包括了所述多個閃存芯片中每一個閃存芯片的一個多層式儲存區塊；將所述數據寫入至所述第一超級區塊；以及將所述至少一組校驗碼寫入至一第二超級區塊中，其中所述第二超級區塊包括了所述多個閃存芯片中每一個閃存芯片的一個單層式儲存區塊。