[發明專利]支撐單元、具有支撐單元的設備和用設備處理基板的方法

在審

• 申請號: 202011217336.5
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112786489A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 李承漢;徐鐘錫;李銀卓;方濟午;池碩桓
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;童劍雄

本發明構思的實施例提供一種用于處理基板的設備。本發明構思的實施例包括：在其中具有處理空間的殼體；以及在處理空間內支撐基板的支撐單元，并且該支撐單元包括：支撐板，其支撐基板；加熱器構件，其設置在支撐板中并加熱基板；以及冷卻單元，其設置在加熱器構件的下方并冷卻支撐板，該冷卻單元包括：冷卻板，其與加熱器構件間隔開的；噴嘴，其設置在冷卻板中，并向加熱器部件的底表面供應冷卻氣體；以及驅動器，其使冷卻板在與加熱器部件間隔開第一距離的待用位置以及與加熱器部件間隔開第二距離的冷卻位置之間移動，第二距離短于第一距離。

技術領域

本文描述的發明構思的實施例涉及一種對基板進行熱處理的支撐單元和包括該支撐單元的基板處理設備，以及使用該基板處理設備處理基板的方法。

背景技術

通常，為了制造半導體裝置，執行各種工藝，例如清潔、沉積、照相和離子注入工藝。在上述過程中，照相工藝包括在基板上形成諸如光致抗蝕劑的液體膜的工藝。

在形成液體膜之后，執行加熱基板的烘烤工藝。烘烤工藝是在比室溫高得多的溫度下進行的，并且加熱基板的加熱器用于該工藝。

執行烘烤工藝的腔室根據基板使用不同的溫度來加熱基板。例如，烘烤腔室以第一溫度在烘烤腔室中處理在前的基板，然后烘烤腔室以低于第一溫度的第二溫度處理運送到其中的后續的基板。在此，在以第一溫度處理在前的基板之后，需要冷卻加熱器的冷卻工藝以用于以低于第一溫度的第二溫度處理后續的基板。

通常，在冷卻工藝中，向加熱器供應冷卻氣體以冷卻加熱器。當噴射冷卻氣體時，冷卻氣體的流速影響冷卻效率。在相同的噴射量下，供氣噴嘴越長，流速越快。為了獲得更快的流速，應該提供更長的噴嘴，從而提供更高的烘烤腔室。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種基板處理設備和一種當加熱單元被冷卻時用于處理基板的方法。

本發明構思的實施例提供了一種基板處理設備和一種用于處理基板的方法，該方法可以確保用于冷卻加熱單元的冷卻氣體的流速。

本發明構思中將實現的目的不限于上述目的，而是本領域技術人員將明顯地理解的未提及的其他目的。

本發明構思的實施例提供一種用于處理基板的設備。在本發明構思的一個示例性實施例中，一種基板處理設備包括：在其中具有處理空間的殼體；以及在處理空間中支撐基板的支撐單元；并且支撐單元包括：支撐基板的支撐板；設置在支撐板中并加熱基板的加熱器構件；以及設置在加熱器構件下方并冷卻支撐板的冷卻單元，該冷卻單元包括：與加熱器構件間隔開的冷卻板；設置在冷卻板中并向加熱器構件的底表面供應冷卻氣體的噴嘴；以及使冷卻板在與加熱器構件間隔開第一距離的待用位置以及與加熱器構件間隔開第二距離的冷卻位置之間移動的驅動器，第二距離短于第一距離。

根據本發明構思的實施例，當從上方觀察時，冷卻板在待用位置和冷卻位置中與加熱器構件重疊。

根據本發明構思的實施例，冷卻板在其上表面上具有安裝槽，并且噴嘴布置在安裝槽中。

根據本發明構思的實施例，冷卻單元還包括氣體供應構件，該氣體供應構件將冷卻氣體供應到安裝槽中。

根據本發明構思的實施例，驅動器設置在電機中。

根據本發明構思的實施例，驅動器設置在氣缸中。

此外，本發明構思提供一種用于處理基板的方法。本發明構思的實施例包括第一加熱步驟和冷卻步驟，該第一加熱步驟使支撐板在第一溫度下加熱基板，該冷卻步驟將冷卻氣體供應至支撐板以將支撐板冷卻至預定溫度，并且在冷卻步驟中，該冷卻板朝向加熱器構件移動并冷卻加熱器構件。

本發明構思的實施例還包括第二加熱步驟，其中在冷卻步驟之后，支撐板在第二溫度下加熱基板。

根據本發明構思的實施例，第二溫度低于第一溫度。