[發明專利]支撐單元、具有支撐單元的設備和用設備處理基板的方法在審
| 申請號: | 202011217336.5 | 申請日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN112786489A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 李承漢;徐鐘錫;李銀卓;方濟午;池碩桓 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;童劍雄 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐 單元 具有 設備 處理 方法 | ||
1.一種支撐單元,包括:
支撐板,其支撐基板;
加熱器構件,其設置在所述支撐板中并加熱所述基板;以及
冷卻單元,其設置在所述加熱器構件的下方并冷卻所述支撐板,
其中,所述冷卻單元包括:
冷卻板,其與所述加熱器構件間隔開;
噴嘴,其設置在所述冷卻板中,并向所述加熱器構件的底表面供應冷卻氣體;和
驅動器,其使所述冷卻板在與所述加熱器構件間隔開第一距離的待用位置以及與所述加熱器構件間隔開第二距離的冷卻位置之間移動,
其中,所述第二距離比所述第一距離短。
2.根據權利要求1所述的支撐單元,其中,
當從上方觀察時,所述冷卻板在所述待用位置和所述冷卻位置中與所述加熱器構件重疊。
3.根據權利要求1所述的支撐單元,
其中,所述冷卻板在其上表面上具有安裝槽,
其中,所述噴嘴布置在所述安裝槽中。
4.根據權利要求3所述的支撐單元,其中,
所述冷卻單元還包括:
氣體供應構件,其將所述冷卻氣體供應到所述安裝槽中。
5.根據權利要求1所述的支撐單元,其中,
所述驅動器設置在電機中。
6.根據權利要求1所述的支撐單元,其中,
所述驅動器設置在氣缸中。
7.一種用于處理基板的設備,所述設備包括:
殼體,在所述殼體中具有處理空間;和
支撐單元,其在所述處理空間中支撐所述基板,
其中,所述支撐單元包括:
支撐板,其支撐所述基板;
加熱器構件,其設置在所述支撐板中并加熱所述基板;以及
冷卻單元,其設置在所述加熱器構件的下方并冷卻所述支撐板,
其中,所述冷卻單元包括:
冷卻板,其與所述加熱器構件間隔開;
噴嘴,其設置在所述冷卻板中,并向所述加熱器構件的底表面供應冷卻氣體;和
驅動器,其使所述冷卻板在與所述加熱器構件間隔開第一距離的待用位置以及與所述加熱器構件間隔開第二距離的冷卻位置之間移動,
其中,所述第二距離比所述第一距離短。
8.根據權利要求7所述的設備,其中,
當從上方觀察時,所述冷卻板在所述待用位置和所述冷卻位置中與所述加熱器構件重疊。
9.根據權利要求7所述的設備,
其中,所述冷卻板在其上表面上具有安裝槽,
其中,所述噴嘴布置在所述安裝槽中。
10.根據權利要求9所述的設備,其中,
所述冷卻單元包括:
氣體供應構件,其將所述冷卻氣體供應到所述安裝槽中。
11.根據權利要求7所述的設備,其中,
所述驅動器設置在電機中。
12.根據權利要求7所述的設備,其中,
所述驅動器設置在氣缸中。
13.根據權利要求7所述的設備,其中,
所述冷卻氣體是空氣。
14.根據權利要求7所述的設備,其中,
處理所述基板包括對所述基板進行烘烤處理。
15.一種使用根據權利要求7所述的用于處理基板的設備來處理所述基板的方法,所述方法包括:
第一加熱步驟,其中所述支撐板在第一溫度下加熱基板;和
冷卻步驟,其中將所述冷卻氣體供應到所述支撐板以將所述支撐板冷卻至預定溫度,
其中,在所述冷卻步驟中,所述冷卻板朝向所述加熱器構件移動并冷卻所述加熱器構件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





