[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202011216087.8
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112397446A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 王海軍;姚江波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L23/544;G02F1/1335;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本申請涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板的制作方法包括：在襯底上形成金屬膜層結構，金屬膜層結構內包括至少一個金屬標記；在金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，色阻膜層結構遠離金屬膜層結構的表面形成有至少一個突出部，突出部與金屬標記對應設置；在色阻膜層結構上涂布一層黑色矩陣，其中，突出部上堆積的黑色矩陣的厚度小于色阻膜層結構中其他涂布位置處堆積的黑色矩陣的厚度；對涂布后的黑色矩陣進行圖案化，得到遮光層，從而能解決現有整面涂布黑色矩陣的陣列基板無法實現黃光制程對位的問題，有利于提高基板利用率。

【技術領域】

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術】

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)因具有輕薄小、功耗低、無輻射、以及制造成本相對較低等優點，在平板顯示行業應用較為廣泛。隨著客戶需求的不斷提高，對顯示器的分辨率提出了更高的要求。

顯示器的分辨率，一部分由組成顯示器的光刻材料決定，另外一部分由制備機臺決定。目前光刻材料的發展，較難實現對超高分辨率的需求，只能利用具有高解析度的正型曝光機，進行超高分辨率對應的圖案制備，但目前在使用正型光刻機制備圖案時，仍存在一些急需解決的問題，比如，在利用正型曝光機制備不同顏色色阻時，為使色阻層能夠在設定的位置形成圖案，需要以前段金屬制程形成的金屬標記進行曝光機對位。具體的，在對位過程中，光源發射的光線穿透色阻層在金屬上進行反射，反射光輸入具有檢測反射光功能的CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)鏡頭中，從而完成色阻層在曝光機里的對位過程。正型曝光機可通過適當調節發射光波長使光線在R/G/B色阻中有較高的穿透率，能被金屬反射后產生較高強度的反射光，進而被檢測器識別。

而對于光線吸收率超高的BM(Black Matrix，黑色矩陣)來說，若陣列基板采用整面涂布黑色矩陣膜層的方式制備，則光源的光線經過BM膜層到達金屬標記表面時，由于BM對光線吸收率過高，會導致無光線經金屬反射后進入檢測器中，從而無法找到金屬標記位置，難以進行BM制程對位。目前，通常采用在金屬標記位置處(一般是在基板邊緣)不進行BM涂布的方法來避免該問題，但是這種解決方案浪費了基板邊緣區域，無法實現基板的最大利用率，不利于產品成本的降低。

【發明內容】

本發明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能解決現有整面涂布黑色矩陣的陣列基板無法實現黃光制程對位的問題，有利于提高基板利用率。

為了解決上述問題，本申請實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成金屬膜層結構，所述金屬膜層結構內包括至少一個金屬標記；

在所述金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，所述色阻膜層結構遠離所述金屬膜層結構的表面形成有至少一個突出部，所述突出部與所述金屬標記對應設置；

在所述色阻膜層結構上涂布一層黑色矩陣，其中，所述突出部上堆積的所述黑色矩陣的厚度小于所述色阻膜層結構中其他涂布位置處堆積的所述黑色矩陣的厚度；

對涂布后的所述黑色矩陣進行圖案化，得到遮光層。

其中，所述在所述襯底上形成金屬膜層結構，包括：

在所述襯底上形成第一金屬層；

在形成有所述第一金屬層的所述襯底上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二金屬層；

在形成有所述第二金屬層的所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，得到金屬膜層結構；

其中，所述第一金屬層或所述第二金屬層包括至少一個金屬標記。

其中，所述在所述金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，包括：