[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202011216087.8
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112397446A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 王海軍;姚江波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L23/544;G02F1/1335;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成金屬膜層結構，所述金屬膜層結構內包括至少一個金屬標記；

在所述金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，所述色阻膜層結構遠離所述金屬膜層結構的表面形成有至少一個突出部，所述突出部與所述金屬標記對應設置；

在所述色阻膜層結構上涂布一層黑色矩陣，其中，所述突出部上堆積的所述黑色矩陣的厚度小于所述色阻膜層結構中其他涂布位置處堆積的所述黑色矩陣的厚度；

對涂布后的所述黑色矩陣進行圖案化，得到遮光層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成金屬膜層結構，包括：

在所述襯底上形成第一金屬層；

在形成有所述第一金屬層的所述襯底上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二金屬層；

在形成有所述第二金屬層的所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，得到金屬膜層結構；

其中，所述第一金屬層或所述第二金屬層包括至少一個金屬標記。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，包括：

在所述金屬膜層結構上形成第一色阻層；

在形成有所述第一色阻層的所述金屬膜層結構上形成第二色阻層；

在形成有所述第二色阻層的所述金屬膜層結構上形成第三色阻層，得到色阻膜層結構；

其中，所述第一色阻層、第二色阻層和/或第三色阻層是利用具有多個穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上對應于所述金屬標記的區域具有最大穿透率，以使所述色阻膜層結構在遠離所述金屬膜層結構且對應于所述金屬標記的表面形成至少一個突出部。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬膜層結構上形成第一色阻層，包括：

利用具有多個穿透率的掩膜板在所述金屬膜層結構上形成第一色阻層，所述掩膜板上對應于所述金屬標記的區域具有最大穿透率，以使所述第一色阻層在所述金屬標記區域對應位置處的厚度大于所述第一色阻層其他位置處的厚度，得到至少一個突出部。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬膜層結構上形成色阻膜層結構，包括：

在所述金屬膜層結構上形成第一色阻層；

在形成有所述第一色阻層的所述金屬膜層結構上形成第二色阻層；

在形成有所述第二色阻層的所述金屬膜層結構上形成第三色阻層；

在形成有所述第三色阻層的所述金屬膜層結構上形成平坦層，得到色阻膜層結構；

其中，所述第一色阻層、第二色阻層、第三色阻層和/或所述平坦層是通過具有不同穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上對應于所述金屬標記的區域具有最大穿透率，以使所述色阻膜層結構在遠離所述金屬膜層結構且對應于所述金屬標記的表面形成至少一個突出部。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述第三色阻層的所述金屬膜層結構上形成平坦層，包括：

利用具有多個穿透率的掩膜板在形成有所述第三色阻層的所述金屬膜層結構上形成平坦層，所述掩膜板上對應于所述金屬標記的區域具有最大穿透率，以使所述平坦層在所述金屬標記區域對應位置處的厚度大于所述平坦層其他位置處的厚度，得到至少一個突出部。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的金屬膜層結構，所述金屬膜層結構內包括至少一個金屬標記；

位于所述金屬膜層結構上的色阻膜層結構，所述色阻膜層結構遠離所述金屬膜層結構的表面形成有至少一個突出部，所述突出部與所述金屬標記對應設置；

位于所述色阻膜層結構上的遮光層。