[發明專利]等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202011216079.3
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112863985A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 池田信太郎;花岡秀敏;田丸直樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

提供一種用于對反應產物附著在設置于等離子體處理裝置上的部件之間的間隙的情況進行抑制的等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置包括：第一部件，設置在處理容器內；以及第二部件，設置在所述第一部件的外側，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使氣體向所述第一部件與所述第二部件之間的間隙流動的流路。

技術領域

本公開涉及一種等離子體處理裝置。

背景技術

例如，專利文獻1提出了在等離子體處理裝置中通過離子濺射將進入臨近等離子體處理空間的間隙的反應產物去除。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：(日本)特開2008-251633號公報

發明內容

本發明要解決的問題

本公開提供一種技術，其用于對反應產物附著在設置于等離子體處理裝置上的部件之間的間隙的情況進行抑制。

用于解決問題的手段

根據本公開的一個實施方式，提供一種等離子體處理裝置，包括：第一部件，設置在處理容器內；以及第二部件，設置在所述第一部件的外側，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使氣體向所述第一部件與所述第二部件之間的間隙流動的流路。

發明的效果

根據一個方面，能夠對反應產物附著在設置于等離子體處理裝置上的部件之間的間隙的情況進行抑制。

附圖說明

圖1是示出根據一個實施方式的等離子體處理裝置的一個示例的剖面示意圖。

圖2是示出根據一個實施方式的上部電極的周邊構造的一個示例的圖。

圖3是示出當從上表面對根據一個實施方式的內側電極板進行觀察時的氣體的供給路徑的一個示例的圖。

圖4是示出根據一個實施方式的等離子體處理方法的一個示例的流程圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本公開的實施方式進行說明。在各附圖中，針對相同的構成部分賦予相同的符號，并且有時會省略重復的說明。

[等離子體處理裝置]

參照圖1對根據一個實施方式的等離子體處理裝置1進行說明。圖1是示出根據一個實施方式的等離子體處理裝置1的一個示例的剖面示意圖。根據一個實施方式的等離子體處理裝置1是電容耦合型的平行平板處理裝置，并且具有處理容器10。處理容器10例如是由表面被進行陽極氧化處理的鋁制成的圓筒狀的容器，并且接地。

在處理容器10的底部，經由利用陶瓷等制成的絕緣板12布置有圓柱狀的支撐臺14，在該支撐臺14上例如設置有載置臺16。載置臺16具有靜電卡盤20和基臺18，并且在靜電卡盤20的上表面上放置基板W。在基板W周圍，布置有例如由硅制成的環狀的邊緣環24。邊緣環24也稱為聚焦環。在基臺18及支撐臺14周圍，設置有例如由石英制成的環狀的絕緣體環26。在靜電卡盤20的內部，在基板W的下方以被絕緣層20b夾著的方式埋設有由導電膜制成的第一電極20a。第一電極20a與電源22連接，并且通過從電源22向第一電極20a施加的直流電壓來產生靜電力，從而將基板W吸附在靜電卡盤20的載置面上。需要說明的是，靜電卡盤20可以具有加熱器，從而對溫度進行控制。