[發明專利]光刻膠涂布方法和涂布裝置

在審

• 申請號: 202011215536.7
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112255885A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 李飛;李文亮;吳鵬
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧浩

本發明提供了一種光刻膠涂布方法，包含：在晶圓的上方至少二個點噴出光刻膠。本發明還提供了一種光刻膠涂布裝置，包含：噴盤，所述噴盤上設有至少二個噴口。據此，本發明能夠達到的技術效果在于，能夠使得光刻膠在晶圓上的涂布均勻性提高，并且，適用于更大尺寸的晶圓，能夠覆蓋整個晶圓，降低光刻膠分布上晶圓邊緣分布不到的不良，不需要旋轉或者提高旋轉速度，不會導致晶圓因離心作用產生的應力而甩出或破裂。

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及光刻膠涂布方法和裝置。

背景技術

集成電路制造領域，其中一個重要的工藝步驟是在晶圓上涂布光刻膠。參閱圖1所示，現有技術中，光刻膠涂布的方法是：第一步，S01將光刻膠噴頭01（nozzle）移動到晶圓02中心；第二步，S02將光刻膠03噴吐到晶圓02中心；第三步，S03然后再經旋轉將光刻膠03均勻地以一定膜厚固化到晶圓02上。

晶圓尺寸的增加意味著同樣的工藝步驟能生產出更多的芯片,從而降低晶體管的成本。但是，晶圓尺寸的增大需要對設備提出更高的要求,比如在均一性(uniformity)方面。隨著集成電路制造技術進步，光刻膠涂布也遇到很多困擾：隨著制程進步需求光刻膠涂布均一性要求不斷提高；隨著晶圓尺寸的增加，需要更快的轉速把光阻推到晶圓邊緣，但當轉速過大時，晶圓容易被甩出或應力變大而破裂。因此，晶圓尺寸變大后光刻膠在晶圓邊緣涂布也會出現均一性不佳甚至無法完全覆蓋（poor coating）。

現有技術中存在的問題是由于晶圓尺寸變大，采用現有技術的旋轉將光刻膠在離心力作用下（甩到）均勻地分布到晶圓上，會造成所需轉速提高，晶圓承受更大的應力等情形，而且難以保證光刻膠的均勻性。

發明內容

本發明需要解決的技術問題是：光刻膠涂布中分布不均勻，由于旋轉造成的晶圓應力過大，晶圓的邊緣涂布不良。

為了解決以上技術問題，本發明提供一種光刻膠涂布方法，其目的在于能夠提高光刻膠在晶圓表面的膜厚均勻度，提高光刻膠的覆蓋性，避免旋轉造成的附加應力。并且，本發明還提供一種光刻膠涂布裝置，其目的在于，能夠實現本發明提供的光刻膠涂布方法，能夠達到光刻膠分布均勻完整，且無附加應力。

為了達到上述目的，本發明提供了一種光刻膠涂布方法，包含：在晶圓的上方至少二個點噴出光刻膠。

優選地，所述的光刻膠涂布方法，在晶圓中心不同半徑處設有噴出光刻膠的點。

優選地，所述的光刻膠涂布方法，根據晶圓大小，來控制噴出光刻膠的點的位置和噴口噴出光刻膠的速度和噴涂時間，所述晶圓大小為5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、或者大于12英寸。

優選地，所述的光刻膠涂布方法，測量晶圓表面光刻膠的均勻性，根據測得數據調整噴出點的噴出光刻膠的速度和噴涂時間。

為了達到上述目的，本發明還提供了一種光刻膠涂布裝置，包含：噴盤，所述噴盤上設有至少二個噴口。

優選地，所述噴盤呈圓形，以噴盤的中心為中心，在第一半徑處周向均勻布置有噴口，在第二半徑處周向均勻布置有噴口。

優選地，每個所述噴口分別連接噴涂量控制單元，所述噴涂量控制單元包含獨立控制流量的馬達或者獨立控制開度的閥門。

優選地，所述的光刻膠涂布裝置，還包含：

光刻膠膜厚測量單元，用以獲得測量數據；

所述噴涂量控制單元包含控制器；

所述光刻膜厚測量單元電連接所述控制器，所述光刻膜厚測量單元包含高程測量器或者圖像攝取處理器；

所述控制器向馬達或閥門發出控制信號。

優選地，所述的光刻膠涂布裝置，還包含：程式存儲器，所述程式存儲器中記錄晶圓大小數據、控制信號數據、測量數據。