[發明專利]存儲器件及其操作方法

在審

• 申請號: 202011213293.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN113053432A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 崔容赫;南尚完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

1.一種存儲器件，包括：

存儲器單元陣列，包括多個單元串，每個單元串包括分別連接在多個串選擇線與多個接地選擇線之間的多個存儲器單元以及連接到所述多個存儲器單元的多個字線；

控制邏輯，被配置為生成提供給所述多個串選擇線的第一電壓和提供給所述多個接地選擇線的第二電壓，并且調整所述第一電壓和所述第二電壓的每個電壓電平以控制所述多個單元串的溝道升壓電平；以及

行解碼器，被配置為在所述控制邏輯的控制下將讀電壓、讀通過電壓、所述第一電壓和所述第二電壓提供給所述存儲器單元陣列，其中：

所述控制邏輯生成所述第一電壓和所述第二電壓中的一個作為預脈沖電壓，并且

所述行解碼器將第三電壓提供給所述多個字線中的至少一個字線，所述第三電壓在所述預脈沖電壓具有高于或等于預定第一閾值的電平時具有第一電平，并在所述預脈沖電壓具有低于所述第一閾值的電平時具有高于所述第一電平的第二電平。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中：

所述控制邏輯選擇所述多個單元串中的至少一個作為所選單元串，并且

所述行解碼器將預定導通電壓提供給與所選單元串連接的串選擇線和接地選擇線，并且將所述第一電壓和所述第二電壓分別提供給未與所選單元串連接的串選擇線和接地選擇線。

3.根據權利要求2所述的存儲器件，其中，所述預脈沖電壓的電平低于所述導通電壓的電平。

4.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第二電平低于所述讀通過電壓的電平。

5.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，在所述預脈沖電壓具有高于或等于所述第一閾值的電平的時段期間，基于被提供所述第三電壓的字線，將所述多個單元串的每個溝道分為第一溝道和第二溝道。

6.根據權利要求5所述的存儲器件，其中，在所述預脈沖電壓具有低于所述第一閾值的電平的時段期間，將所述第一溝道與所述第二溝道合并成一個溝道。

7.根據權利要求5所述的存儲器件，其中：

當生成所述第一電壓作為所述預脈沖電壓時，所述第一溝道具有第一電位電平且所述第二溝道具有低于所述第一電位電平的第二電位電平，以及

在所述預脈沖電壓具有低于所述第一閾值的電平的時段期間，所述多個單元串的每個溝道具有通過以預定比率對所述第一電位電平與所述第二電位電平進行求和而獲得的電平。

8.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述控制邏輯控制所述行解碼器調整所述讀通過電壓的電平，并將具有調整后的電平的讀通過電壓提供給所述多個字線中的與被提供所述第三電壓的字線相鄰的至少一個字線。

9.根據權利要求8所述的存儲器件，其中，所述控制邏輯控制所述行解碼器當字線與被提供有所述第三電壓的所述字線相鄰時將所述讀通過電壓的電平調整為更大，并將所調整后的讀通過電壓提供給所述字線。

10.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，將所述多個字線中的被提供有所述第三電壓的字線選擇作為與不存儲數據的存儲器單元相連的至少一個虛設字線。

11.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，將被提供有所述第三電壓的字線選擇作為設置在穿過所述多個字線的上部溝道結構與下部溝道結構之間的邊界處的至少一個字線。

12.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述讀通過電壓為10V以下，并且所述第一電壓和所述第二電壓為3V以上至4V以下。