[發明專利]一種陣列基板及其制備方法與顯示面板

在審

• 申請號: 202011210373.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112397526A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 尹福章;張樂陶
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本申請公開了一種陣列基板及其制備方法與顯示面板，所述陣列基板采用層疊設置的一無機薄膜層和一第一平坦化層來作為蝕刻阻擋層，其中，所述無機薄膜層用于填平掃描走線引起的斷差，所述第一平坦化層用于填平信號走線引起的斷差，相較于現有技術，制備所述陣列基板未額外增加工藝制程，在不增加制造成本的前提下，有效改善了所述陣列基板的平坦性能。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法與顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的迅猛發展，有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器件因具有自發光、對比度高、厚度薄、廣視角和響應速度快等優點，而成為新一代平面顯示技術的代表，其中，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，主動式有機發光二極管)技術應用前景廣闊。

目前，可采用蒸鍍工藝或IJP(Ink Jet Printing，噴墨印刷)工藝制備AMOLED顯示器件，對于蒸鍍工藝，由于蒸鍍至像素區所形成的膜層厚度均勻，所以對像素區基底的平坦度要求寬松，但蒸鍍工藝具有有機發光材料耗費大的缺點，且蒸鍍工藝主要適用于底發光型AMOLED顯示器件，底發光型AMOLED顯示器件具有開口率低、不利于高分辨顯示應用、需要額外增加彩色濾光片的缺點。對于IJP工藝，適用于制備頂發光型AMOLED顯示器件，頂發光型AMOLED顯示器件具有無需彩色濾光片、開口率高的優點，但是由于IJP工藝打印至像素區的油墨是流動的，像素區基底的平坦度是影響油墨鋪展性的關鍵因素之一，即：要求整個像素區最大斷差越小越好，避免油墨成膜后出現膜厚不均的問題，從而影響發光效果，因此，使用IJP工藝制備AMOLED對像素區基底的平坦能力要求高。

在現有技術中，通常用平坦化層(PLN)來填平像素區基底的不平整，基底斷差越大需要越厚的PLN來填平。隨著市場對顯示面板分辨率、開口率、刷新頻率的要求不斷提高，所以金屬走線方阻的要求也越來越高，導致金屬走線厚度也逐步增加，尤其是增加掃描走線和信號走線的厚度。但是，PLN的填平能力有限，當基底斷差達到一定程度時，PLN已增加至很厚(如：3微米以上)卻仍不能滿足平整度的要求。

發明內容

本申請提供了一種陣列基板及其制備方法與顯示面板，能夠提高像素區基底的平整度，以解決使用IJP工藝制備AMOLED對像素區基底的平坦能力要求高的問題。

第一方面，本申請提供了一種陣列基板，包括：

一第一金屬層，設置于所述基板上并包括一柵極層和一走線層，所述柵極層設置于所述基板的顯示區上，所述走線層設置于所述基板的綁定區上；

一柵極絕緣層，設置于所述基板上，并覆蓋所述第一金屬層；

一有源層，設置于所述柵極絕緣層上，且所述有源層在所述基板上的正投影，與所述柵極層在所述基板上的正投影部分重疊；

一蝕刻阻擋層，設置于所述柵極絕緣層和所述有源層上，且位于所述顯示區內，所述蝕刻阻擋層包括層疊設置的一無機薄膜層和一第一平坦化層，開設有多個蝕刻阻擋層過孔，所述蝕刻阻擋層過孔穿過所述無機薄膜層和所述第一平坦化層而局部裸露所述有源層與所述柵極層；

一第二金屬層，設置于所述蝕刻阻擋層上，并至少包括一源漏極層，所述源漏極層通過所述蝕刻阻擋層過孔與所述有源層相連；以及

一鈍化層，設置于所述蝕刻阻擋層、所述第二金屬層上以及所述綁定區的柵極絕緣層上。

在本申請的一些實施例中，所述陣列基板還包括：一電極層，設置于所述鈍化層上。

在本申請的一些實施例中，所述第二金屬層還包括：多個第一電容電極，且各個所述第一電容電極通過所述蝕刻阻擋層過孔與所述柵極層相連。

在本申請的一些實施例中，所述無機薄膜層的材質為氧化硅。