[發明專利]一種陣列基板及其制備方法與顯示面板

在審

• 申請號: 202011210373.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112397526A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 尹福章;張樂陶
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

一基板，設有顯示區和綁定區；

一第一金屬層，設置于所述基板上并包括一柵極層和一走線層，所述柵極層設置于所述基板的顯示區上，所述走線層設置于所述基板的綁定區上；

一柵極絕緣層，設置于所述基板上，并覆蓋所述第一金屬層；

一有源層，設置于所述柵極絕緣層上，且所述有源層在所述基板上的正投影，與所述柵極層在所述基板上的正投影部分重疊；

一蝕刻阻擋層，設置于所述柵極絕緣層和所述有源層上，且位于所述顯示區內，所述蝕刻阻擋層包括層疊設置的一無機薄膜層和一第一平坦化層，開設有多個蝕刻阻擋層過孔，所述蝕刻阻擋層過孔穿過所述無機薄膜層和所述第一平坦化層而局部裸露所述有源層與所述柵極層；

一第二金屬層，設置于所述蝕刻阻擋層上，并至少包括一源漏極層，所述源漏極層通過所述蝕刻阻擋層過孔與所述有源層相連；以及

一鈍化層，設置于所述蝕刻阻擋層、所述第二金屬層上以及所述綁定區的柵極絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：一電極層，設置于所述鈍化層上。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：一第二平坦化層，設置于所述鈍化層和所述電極層上。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層還包括：多個第一電容電極，且各個所述第一電容電極通過所述蝕刻阻擋層過孔與所述柵極層相連。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述無機薄膜層的材質為氧化硅。

6.根據權利要求1-5任一項中所述的陣列基板，其特征在于，所述無機薄膜層的厚度為600埃～1000埃，所述第一平坦化層的厚度為1.5微米～2.5微米。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一基板，在所述基板上預定義顯示區和綁定區，在所述基板上制備形成一第一金屬層，所述第一金屬層包括一柵極層和一走線層，所述柵極層設置于所述基板的顯示區上，所述走線層設置于所述基板的綁定區上；

在所述基板上制備形成一柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述第一金屬層；

在所述柵極絕緣層上制備形成一有源層，所述有源層在所述基板上的正投影，與所述柵極層在所述基板上的正投影部分重疊；

在所述柵極絕緣層和所述有源層上制備形成一蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層包括層疊設置的一無機薄膜層和一第一平坦化層，并對所述蝕刻阻擋層開孔，以形成多個蝕刻阻擋層過孔，所述蝕刻阻擋層過孔穿過所述無機薄膜層和所述第一平坦化層而局部裸露所述有源層與所述柵極層；

在所述蝕刻阻擋層上制備形成一第二金屬層，所述第二金屬層至少包含一源漏極層，所述源漏極層通過所述蝕刻阻擋層過孔與所述有源層相連；以及

在所述蝕刻阻擋層、所述第二金屬層以及所述綁定區的柵極絕緣層上制備形成一鈍化層。

8.根據權利要求6所述的顯示背板的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

在所述鈍化層上制備形成一電極層；以及，

在所述鈍化層和所述電極層上制備形成一第二平坦化層。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：一如權利要求1至5任一項中所述的陣列基板。

10.根據權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，還包括：一設置于所述陣列基板上的顯示元件層，所述顯示元件層包括多個間隔設置的有機發光材料層。