[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011208930.8
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112786584A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 金載勛;西門浚;李修亞;金亨沃
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

半導體器件包括：標準單元，設置在與襯底的上表面平行的第一方向和與第一方向交叉的第二方向上，每個標準單元包括有源區域、設置為與有源區域交叉的柵極結構、在柵極結構兩側在有源區域上的源極/漏極區域、以及電連接到有源區域和柵極結構的第一互連線；填充單元，設置在標準單元的至少部分之間，每個填充單元包括填充有源區域和設置為與填充有源區域交叉的填充柵極結構；以及布線結構，設置在標準單元和填充單元上，并且包括第二互連線，第二互連線將不同標準單元的第一互連線彼此電連接，其中第二互連線包括具有第一寬度的第一線和具有大于第一寬度的第二寬度的第二線。

技術領域

本公開涉及半導體器件。

背景技術

由于對高性能、高速半導體器件和/或多功能半導體器件的需求增加，半導體器件的集成度提高了。隨著半導體器件的更高集成度，已經積極地進行了對布局設計的研究，特別是對用于將半導體元件彼此連接的互連的有效布線的研究。

發明內容

根據本公開的一方面，半導體器件可以具有改善的可靠性和集成度。

根據本公開的一方面，半導體器件包括：多個標準單元，設置在平行于襯底的上表面的第一方向和與第一方向交叉的第二方向上，所述多個標準單元中的每個標準單元包括有源區域、設置為與有源區域交叉的柵極結構、在柵極結構兩側設置在有源區域上的源極區域和漏極區域、以及電連接到有源區域和柵極結構的多條第一互連線；多個填充單元，設置在多個標準單元的部分之間，多個填充單元當中的每個填充單元包括填充有源區域和設置為與填充有源區域交叉的填充柵極結構；以及設置在多個標準單元和多個填充單元上的布線結構，該布線結構包括多條第二互連線，所述多條第二互連線將所述多個標準單元當中的不同標準單元的相應多條第一互連線彼此電連接，其中所述多條第二互連線包括具有第一寬度的第一線和具有大于第一寬度的第二寬度的第二線。

根據本公開的一方面，半導體器件包括：設置在襯底上的第一標準單元和第二標準單元，第一標準單元和第二標準單元中的每個包括半導體元件和電連接到半導體元件的第一互連線；以及布線結構，該布線結構包括多條第二互連線，所述多條第二互連線在跨過第一標準單元和第二標準單元的方向上并在第一標準單元和第二標準單元上延伸，所述多條第二互連線當中的每條第二互連線將第一標準單元的第一互連線電連接到第二標準單元的第一互連線，其中，所述多條第二互連線包括具有彼此不同的寬度的第一線和第二線，并且其中第一線和第二線包括將信號傳輸到第一標準單元和第二標準單元的相應半導體元件的信號傳輸線。

根據本公開的一方面，半導體器件包括：多個標準單元，設置在襯底上，所述多個標準單元中的每個標準單元包括有源區域、設置為與有源區域交叉的柵極結構、在柵極結構兩側在有源區域上的源極區域和漏極區域、以及電連接到有源區域和柵極結構的多條第一互連線；以及布線結構，將所述多個標準單元彼此電連接，其中布線結構包括多個通路，所述多個通路當中的每個通路設置在所述多條第一互連線當中的相應第一互連線上；以及多條第二互連線，設置在所述多個通路上以在所述多條第二互連線的相應中心之間具有恒定的距離，并且其中所述多條第二互連線當中的第一線具有與所述多條第二互連線當中的第二線的寬度不同的寬度。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下描述，本公開的某些實施方式的上述和其他方面、特征和優點將變得更加明顯，其中：

圖1是示出根據一實施方式的用于設計和制造半導體器件的方法的流程圖；

圖2是部分地示出根據一實施方式的用于設計半導體器件的方法的流程圖；

圖3A和圖3B是示出根據一實施方式的半導體器件的示意性平面圖。

圖4A至圖4C是示出由根據一實施方式的半導體器件中包括的標準單元提供的單位電路的電路圖以及示出與該單位電路相對應的標準單元和填充單元的布局圖；

圖5A至圖5D是示出根據一實施方式的半導體器件的布局圖；