[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011208930.8
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112786584A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 金載勛;西門浚;李修亞;金亨沃
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種半導體器件，包括：

多個標準單元，設置在平行于襯底的上表面的第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向上，所述多個標準單元當中的每個標準單元包括有源區域、設置為與所述有源區域交叉的柵極結構、在所述柵極結構兩側設置在所述有源區域上的源極區域和漏極區域、以及電連接到所述有源區域和所述柵極結構的多條第一互連線；

多個填充單元，設置在所述多個標準單元的部分之間，所述多個填充單元當中的每個填充單元包括填充有源區域和設置為與所述填充有源區域交叉的填充柵極結構；以及

布線結構，設置在所述多個標準單元和所述多個填充單元上，所述布線結構包括多條第二互連線，所述多條第二互連線將所述多個標準單元當中的不同標準單元的相應多條第一互連線彼此電連接，

其中，所述多條第二互連線包括具有第一寬度的第一線和具有大于所述第一寬度的第二寬度的第二線。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多條第二互連線當中的相鄰第二互連線的中心之間的距離在垂直于所述多條第二互連線的延伸方向的方向上是恒定的。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述多條第二互連線包括具有所述第一寬度的另一條第一線，

其中，所述多條第二互連線當中的每條第二互連線包括在所述第二方向上延伸的區域，所述第二互連線的所述第一線、所述另一條第一線和所述第二線在所述第一方向上順序地布置，以及

其中，在所述第一方向上，彼此相鄰的所述第一線和所述另一條第一線的中心之間的第一距離等于彼此相鄰的所述另一條第一線和所述第二線的中心之間的第二距離。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一線和所述第二線包括電連接到所述多個標準單元當中的相應標準單元的所述源極區域和所述漏極區域的信號傳輸線。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一線和所述第二線包括電連接到所述多個標準單元當中的相應標準單元的所述源極區域和所述漏極區域的電力傳輸線。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二寬度在所述第一寬度的101％至125％的范圍內。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一寬度與所述第二寬度之間的差在0.5nm至6nm的范圍內。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二線包括具有所述第一寬度的第一區域和具有所述第二寬度的第二區域。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個標準單元當中的每個標準單元還包括在所述第一方向上設置在所述標準單元的兩端的虛設柵極結構。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述多個標準單元當中的每個標準單元中，所述多個第一互連線包括具有第三寬度的第三線和具有大于所述第三寬度的第四寬度的第四線。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個標準單元當中的每個標準單元還包括將所述多個第一互連線分別連接到所述源極區域、所述漏極區域和所述柵極結構的第一接觸和第二接觸，以及

其中，所述布線結構還包括將所述多條第一互連線與所述多條第二互連線連接的多個通路。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述布線結構還包括阻擋層，所述阻擋層設置為與所述多條第二互連線和所述多個通路接觸，

其中，所述阻擋層從所述多條第二互連線的側表面和下表面沿著所述多個通路的側表面朝向所述多個通路的下表面延伸。