[發明專利]發光裝置、光學裝置以及信息處理裝置在審
| 申請號: | 202011208457.3 | 申請日: | 2020-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN113314944A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發明(設計)人: | 井口大介 | 申請(專利權)人: | 富士膠片商業創新有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024;H01S5/026;H01S5/042;H01S5/183;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 日本東京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 光學 以及 信息處理 | ||
本發明提供一種發光裝置、光學裝置以及信息處理裝置,發光裝置包括:導熱率為10W/m·K以上的絕緣性的基材;發光元件,具有陰極電極及陽極電極,且被設在所述基材的表面側;電容元件,設于所述基材,對所述發光元件供給電流;以及基準電位配線,設在所述基材的背面側,連接于外部的基準電位,所述基準電位配線連接于所述電容元件,且與所述陰極電極及所述陽極電極絕緣。
技術領域
本公開涉及一種發光裝置、光學裝置以及信息處理裝置。
背景技術
日本專利特開2008-252129號公報中記載了一種發光裝置,其具有:陶瓷基板,具有透光性;發光元件,搭載于所述陶瓷基板的表面;配線圖案,用于對所述發光元件供給電力;以及金屬化層(metalization layer),包含具有反光性的金屬,所述金屬化層以對從所述發光元件出射的光進行反射的方式而形成在所述陶瓷基板的內部。
發明內容
提供一種發光裝置等,在發光元件被設在散熱基材表面側的發光裝置中,與將對發光元件供給電流的電容元件設在散熱基材外部的結構相比較,在對發光元件進行低側(low side)驅動的情況下,實現了電路電感(inductance)的降低與散熱性的提高。
根據本公開的第一方案,提供一種發光裝置,包括:導熱率為10W/m·K以上的絕緣性的基材;發光元件,具有陰極電極及陽極電極,且被設在所述基材的表面側;電容元件,設于所述基材,對所述發光元件供給電流;以及基準電位配線,設在所述基材的背面側,連接于外部的基準電位,所述基準電位配線連接于所述電容元件,且與所述陰極電極及所述陽極電極絕緣。
根據本公開的第二方案,所述發光裝置具有:第一表面配線,設在所述基材的表面側,且連接于所述陰極電極與所述陽極電極的其中一者,所述發光元件設在所述第一表面配線上,所述基準電位配線在俯視時與所述第一表面配線的至少一部分重合。
根據本公開的第三方案,所述發光裝置具有:第一表面配線,設在所述基材的表面側,且連接于所述陰極電極與所述陽極電極的其中一者;以及第二表面配線,設在所述基材的表面側,且連接于所述陰極電極與所述陽極電極的另一者,所述基準電位配線在俯視時與所述第一表面配線或所述第二表面配線的至少一部分重合。
根據本公開的第四方案,所述基準電位配線在俯視時與所述第一表面配線及所述第二表面配線各自的至少一部分重合。
根據本公開的第五方案,所述基準電位配線在俯視時與所述發光元件的至少一部分重合。
根據本公開的第六方案,所述發光裝置具有:第一背面配線,設在所述基材的背面側,與所述第一表面配線連接;以及第二背面配線,設在所述基材的背面側,與所述第二表面配線連接,所述基準電位配線的面積大于所述第一背面配線的面積及所述第二背面配線的面積的至少一者。
根據本公開的第七方案,所述發光裝置具有:第一背面配線,設在所述基材的背面側,與所述第一表面配線連接;以及第二背面配線,設在所述基材的背面側,與所述第二表面配線連接,所述基準電位配線的面積分別大于所述第一背面配線的面積及所述第二背面配線的面積。
根據本公開的第八方案,所述電容元件設在所述基材的表面側,所述基準電位配線具有在俯視時包含所述電容元件的面積。
根據本公開的第九方案,所述基材整體包含陶瓷材料。
根據本公開的第十方案,所述發光元件為垂直腔面發射激光器元件。
根據本公開的第十一方案,所述發光元件是具有多個發光元件的發光元件陣列。
根據本公開的第十二方案,所述發光裝置具有擴散構件,所述擴散構件使從所述發光元件出射的光擴散而照射至外部。
根據本公開的第十三方案,所述發光裝置具有驅動部,所述驅動部與所述發光元件連接,對所述發光元件進行低側驅動。
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