[發明專利]一種半導體結構及其制備方法有效
| 申請號： | 202011207284.3 | 申請日： | 2020-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN112103243B | 公開（公告）日： | 2021-02-19 |
| 發明（設計）人： | 鮑丙輝;曲厚任;李倩娣 | 申請（專利權）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艷 |
| 地址： | 102199 北京市大興區經濟技術開發*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體結構制備方法，其特征在于，其至少包括以下步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上形成金屬層，所述金屬層包括并排設置在所述襯底上的多個金屬凸起，相鄰所述金屬凸起與所述襯底之間形成一間隙；
在所述金屬層上形成第一材料層，第一材料層包括氧化硅或氮氧化硅，所述第一材料層填充所述間隙，所述第一材料層與所述金屬層交界面的水平延長線呈現下凹狀，所述第一材料層與所述金屬層的交界面的水平延長線的最低點不低于所述金屬層的水平最高點；
在所述第一材料層上形成第二材料層，所述第二材料層為聚合物層；
對所述第二材料層的表面進行平坦化處理，并暴露所述第一材料層；
在暴露的所述第一材料層上形成第三材料層。
2.根據權利要求1所述一種半導體結構制備方法，其特征在于，所述第一材料層通過高密度等離子沉積方法獲得。
3.根據權利要求1所述一種半導體結構制備方法，其特征在于，所述聚合物層為正硅酸乙酯。
4.根據權利要求1所述一種半導體結構制備方法，其特征在于，所述聚合物層為P型正硅酸乙酯。
5.根據權利要求1所述一種半導體結構制備方法，其特征在于，所述平坦化處理去除的厚度大于所述第二材料層的厚度。
6.一種半導體結構，其特征在于，其包括：
襯底；
金屬層，其包括并排設置在所述襯底上的多個金屬凸起，相鄰所述金屬凸起與所述襯底之間形成一間隙；
第一材料層，其形成于所述金屬層上并填充所述間隙，所述第一材料層包括氧化硅或氮氧化硅，所述第一材料層與所述金屬層交界面的水平延長線呈現下凹狀，所述第一材料層與所述金屬層的交界面的水平延長線的最低點不低于所述金屬層的水平最高點；
第三材料層，其形成于所述第一材料層上。
7.根據權利要求6所述一種半導體結構，其特征在于，所述第一材料層為高密度等離子沉積層。
8.根據權利要求6所述一種半導體結構，其特征在于，所述第三材料層為氮化硅層。
9.根據權利要求6所述一種半導體結構，其特征在于，所述金屬層厚度為2K-15K。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
