[發明專利]一種高導熱吸波屏蔽墊片及其生產工藝在審
| 申請號: | 202011205748.7 | 申請日: | 2020-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN112519347A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 胡耀池;陳繼良;胡孟;謝琦林 | 申請(專利權)人: | 東莞市弗勒特電子科技有限公司 |
| 主分類號: | B32B15/02 | 分類號: | B32B15/02;B32B15/18;B32B15/20;B32B15/04;B32B9/00;B32B9/04;B32B37/06;B32B37/10;B32B7/06;C08L83/07;C08L83/05;C08K7/18;C08K3/28;C08K3/34 |
| 代理公司: | 汕頭市南粵專利商標事務所(特殊普通合伙) 44301 | 代理人: | 余建國 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導熱 屏蔽 墊片 及其 生產工藝 | ||
1.一種高導熱吸波屏蔽墊片,其特征在于,包括導熱吸波基料、離型膜和金屬層,導熱吸波基料覆蓋于金屬層外表面,離型膜覆蓋于導熱吸波基料外表面,其中導熱吸波基料是采用導熱粉體和磁粉制成。
2.根據權利要求1所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片,其特征在于,金屬層包括網狀結構或片狀結構。
3.根據權利要求2所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片,其特征在于,金屬層的網狀結構包括銅網、鋁網或不銹鋼網。
4.根據權利要求2所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片,其特征在于,金屬層的片狀結構包括銅片、鋁片或不銹鋼片。
5.根據權利要求1-4任一項所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片的生產工藝,其特征在于,包括如下步驟:
將離型膜和導熱吸波基料分別分為上、下兩層結構,將下層導熱吸波基料放置于下層離型膜上,再將金屬層放置于下層導熱吸波基料上,形成初步擺放材料;將導熱吸波基料放在下層離型膜上,金屬層放在導熱吸波材料之上,然后采用雙輥壓延機過機壓延,其厚度控制在所要制備的高導熱吸波屏蔽墊片厚度要求的一半,獲得半成品材料;
將導熱吸波基料放置于步驟(1)獲得的半成品材料之上,然后依附上層離型膜,再采用雙輥壓延機過機壓延,確保金屬層控制在高導熱吸波屏蔽墊片整體的中間,獲得初步成品材料;
步驟(2)獲得的初步成品材料再進入到120°的烤箱隧道中烘烤10min-30min,獲得最終產品。
6.根據權利要求5所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片的生產工藝,其特征在于,其中導熱吸波基料以質量計包括以下成分:4%-38%的乙烯基硅油、0.1%-2.0%的含氫硅油、0.02%-1%的反應抑制劑、0.1%-1%的偶聯劑、0.1%-1%的鉑金催化劑、0%-0.5%的色母、0%-94%的導熱粉體和0%-57%的磁粉,上述組合的質量百分含量之和為100%;將配合好的基料放入攪拌機中進行機械攪拌20min,然后再抽真空攪拌30min,獲得脫泡導熱吸波基料。
7.根據權利要求6所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片的生產工藝,其特征在于,偶聯劑采用硅烷偶聯劑或鈦酸酯偶聯劑。
8.根據權利要求6所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片的生產工藝,其特征在于,導熱粉體采用α球形氧化鋁、氮化鋁、碳化硅或氮化硼,導熱粉體的粒徑在0.3um-120um范圍。
9.根據權利要求6所述的一種高導熱吸波屏蔽墊片的生產工藝,其特征在于,磁粉采用鐵氧體、羰基鐵、羥基鐵、羰基鎳、鈦酸鋇、石墨或碳纖維,磁粉的粒徑在0.5um-90um范圍。
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