[發(fā)明專利]表面貼裝混合耦合器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011205040.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112234333A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 俞志華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 增強(qiáng)信（蘇州）通信設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01P5/16 | 分類號(hào)： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人： | 王玉國(guó) |
| 地址： | 215021 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表面 混合 耦合器 | ||
本發(fā)明涉及表面貼裝混合耦合器，金屬化通孔一～三從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二～五至銅箔層五；金屬化通孔四～七從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二～六至銅箔層六；金屬化通孔八～九從銅箔層四貫穿介質(zhì)層五～六至銅箔層六；微帶傳輸線一位于銅箔層五，一端接金屬化通孔二，另一端接金屬化通孔五；微帶傳輸線二位于銅箔層五，一端接金屬化通孔一，另一端接金屬化通孔四；螺旋微帶線一位于銅箔層二，一端接金屬化通孔六，另一端接金屬化通孔一；螺旋微帶線二位于銅箔層三，一端接金屬化通孔七，另一端接金屬化通孔二；金屬化接地層一通過金屬化通孔三接金屬化接地層二；金屬化接地層二一側(cè)通過金屬化通孔八接引腳端口二，另一側(cè)通過金屬化通孔九接引腳端口五。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微波/RF器件，尤其涉及一種表面貼裝混合耦合器，屬于微波通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前，耦合器包含Lange耦合器、分支線耦合器、定向耦合器、三通耦合器和其它的威爾金森耦合器。
在許多應(yīng)用中，期望耦合器對(duì)稱地平衡的執(zhí)行，以便對(duì)稱耦合器在應(yīng)用當(dāng)中擴(kuò)大兼容性。
如上所述，當(dāng)RF信號(hào)輸入到對(duì)稱耦合器的第一端口(輸入端口)時(shí)，在第四端口(DC端口)有一個(gè)3db信號(hào)，在第六端口(耦合端口)有第二個(gè)3db信號(hào)，在第三個(gè)端口(隔離端口)沒有明顯的信號(hào)可用。在對(duì)稱耦合器中，可將輸入信號(hào)定向至第三端口(隔離端口)，使得在第四(輸出端口)端口和第六(耦合端口)端口處可獲得3db信號(hào)，在這種布置中，第一端口(輸入端口)被用作隔離端口。
耦合系數(shù)是定向耦合器的一個(gè)重要特性，其定義為耦合端口的輸出功率與輸入功率之比，稱為分流比，由于混合耦合器在耦合端口和直流端口之間平均分配入射射頻信號(hào)，R為1:1，因此其耦合系數(shù)為-3db。當(dāng)耦合端口路徑與直流端口路徑之間存在90度相位差時(shí)，混合耦合器稱為90度混合耦合器。90度混合耦合器廣泛應(yīng)用于低噪聲放大器、功率放大器、衰減器和混頻器等射頻電路中。然而，其他耦合系數(shù)也被廣泛使用，在不平等的分配情況下，使得R值大于1，通常為需要功率采樣功能，例如：-5dB、-6dB、-10dB、-20dB和-30dB是常用的耦合系數(shù)值(R為999:1)之間。
如果耦合器設(shè)計(jì)為90度混合耦合器，耦合線的長(zhǎng)度選擇為耦合器工作頻率處的四分之一波長(zhǎng)(90°)。
射頻設(shè)計(jì)面臨的主要挑戰(zhàn)之一是在保持器件性能的同時(shí)減小器件的整體尺寸，此外還需要保持較低的熱阻率。
首先，在5G通信領(lǐng)域，較寬的頻率范圍內(nèi)很難提供小尺寸的混合耦合器，并且還保持一個(gè)恒定的對(duì)稱混合耦合值。其次，耦合器輸入端口很難提供較低的或接近最小值1的電壓駐波比(VSWR)，VSWR是傳輸線最大值到最小值的駐波比。眾所周知，如：射頻功放、低噪聲放大器、傳輸線特性阻抗，在送信號(hào)到混合耦合器時(shí)，當(dāng)沒有反射波的情況下，那么VMax＝VMin或VSWR為1，重點(diǎn)是要保持低電壓駐波比讓與設(shè)備不匹配的損失減到最少。此外，混合耦合器很難能夠處理對(duì)稱性，以及在寬帶頻率范圍內(nèi)難以提供良好的傳輸線特性阻抗。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種表面貼裝混合耦合器，在更小型化的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合和對(duì)稱性，以及功率處理和較低的熱阻率。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：
表面貼裝混合耦合器，特點(diǎn)是：
金屬化通孔一從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二、介質(zhì)層三、介質(zhì)層四、介質(zhì)層五至銅箔層五；
金屬化通孔二從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二、介質(zhì)層三、介質(zhì)層四、介質(zhì)層五至銅箔層五；
金屬化通孔三從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二、介質(zhì)層三、介質(zhì)層四、介質(zhì)層五至銅箔層五；
金屬化通孔四從銅箔層一貫穿介質(zhì)層二、介質(zhì)層三、介質(zhì)層四、介質(zhì)層五、介質(zhì)層六至銅箔層六；
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