[發明專利]一種顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202011204958.4
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112420739A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 羅傳寶;盧馬才
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發明提供一種顯示面板及其制備方法。所述顯示面板包括：襯底層、位于所述襯底層之上的第一金屬層、位于所述第一金屬層之上的熱氧化保護層、位于所述襯底層之上且覆蓋所述熱氧化保護層的緩沖層、位于所述緩沖層之上的有源層、位于所述有源層和所述緩沖層之上的柵絕緣層、以及位于所述柵絕緣層之上的第二金屬層。所述第一金屬層包括源極和漏極，所述第二金屬層包括柵極和柵線。本發明通過將薄膜晶體管的源/漏極設置在襯底層表面，既能起到遮光作用，又減少了黃光工藝的次數。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術

Mini/Micro LED(MLED)顯示技術在近兩年進入高速發展階段，相較于OLED顯示面板，MLED顯示面板在成本、對比度、高亮度和輕薄外形上，表現出更佳性能。在MLED顯示技術中，背板技術尤為關鍵，頂柵結構的背板由三層金屬形成三明治結構，可以在更小空間獲得更大電容。但目前MLED頂柵結構的背板技術通常需要10道mask工藝，成本較高，不利于MLED顯示技術的量產。

現有技術采用柵極、源極、漏極同層制備，并一起圖案化的GSD新結構，雖然可以節省1道mask工藝，但GSD結構因為無層間介質層(ILD)，其水氧隔絕能力相對較弱。其次，柵絕緣層刻蝕和柵極刻蝕均會刻蝕到有源層，會造成有源層表面離子濃度的變化，影響器件的穩定性和可靠性。故，有必要改善這一缺陷。

發明內容

本發明實施例提供一種顯示面板，用于解決現有技術的頂柵結構背板成本較高，或GSD結構器件的穩定性和可靠性較差的技術問題。

本發明實施例提供一種顯示面板，包括：襯底層、第一金屬層、熱氧化保護層、緩沖層、有源層、柵絕緣層、以及第二金屬層。第一金屬層位于所述襯底層之上，包括源極和漏極。熱氧化保護層位于所述第一金屬層之上。緩沖層位于所述襯底層之上，且覆蓋所述熱氧化保護層。所述緩沖層上形成有第一過孔和第二過孔。有源層位于所述緩沖層之上，且通過所述第一過孔與所述源極相連，通過所述第二過孔與所述漏極相連。柵絕緣層位于所述有源層和所述緩沖層之上。第二金屬層位于所述柵絕緣層之上，包括柵極和柵線。

本發明實施例提供的顯示面板中，所述第一金屬層的材料為鉬、鉬/銅、或鉬鈦合金/銅。

本發明實施例提供的顯示面板中，所述熱氧化保護層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

本發明實施例提供的顯示面板中，所述顯示面板還包括：第一鈍化層、電極層、LED芯片綁定端子、第二鈍化層、遮光層、以及LED芯片。第一鈍化層位于所述緩沖層之上，且覆蓋所述第二金屬層和所述有源層。所述第一鈍化層上形成有第三過孔和第四過孔。電極層位于所述第一鈍化層之上，包括像素電極和覆晶薄膜綁定端子。所述像素電極通過所述第三過孔與所述有源層相連。所述覆晶薄膜綁定端子通過所述第四過孔與所述柵線相連。LED芯片綁定端子位于所述像素電極之上。第二鈍化層位于所述第一鈍化層和所述LED芯片綁定端子之上。遮光層位于所述第二鈍化層之上。LED芯片位于所述LED芯片綁定端子之上，且對應于所述第三過孔設置。

本發明實施例提供的顯示面板中，所述LED芯片綁定端子的材料為銅、或銅/鉬。

本發明實施例提供一種顯示面板的制備方法，包括下列步驟：提供一襯底層；在所述襯底層之上制備第一金屬層；在所述第一金屬層之上制備熱氧化保護層；將所述第一金屬層和所述熱氧化保護層圖案化，形成源極和漏極；在所述襯底層之上制備緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述熱氧化保護層；將所述緩沖層圖案化，形成分別對應所述源極和所述漏極的第一過孔和第二過孔；在所述緩沖層之上制備有源層，所述有源層通過所述第一過孔與所述源極相連，通過所述第二過孔與所述漏極相連；在所述有源層和所述緩沖層之上制備柵絕緣層；在所述柵絕緣層之上制備第二金屬層；以及將所述第二金屬層和所述柵絕緣層圖案化，形成柵極和柵線。

本發明實施例提供的顯示面板的制備方法中，所述第一金屬層的材料為鉬、鉬/銅、或鉬鈦合金/銅。