[發明專利]一種顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202011204958.4 | 申請日: | 2020-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN112420739A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 羅傳寶;盧馬才 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底層;
第一金屬層,位于所述襯底層之上,包括源極和漏極;
熱氧化保護層,位于所述第一金屬層之上;
緩沖層,位于所述襯底層之上,且覆蓋所述熱氧化保護層,所述緩沖層上形成有第一過孔和第二過孔;
有源層,位于所述緩沖層之上,且通過所述第一過孔與所述源極相連,通過所述第二過孔與所述漏極相連;
柵絕緣層,位于所述有源層和所述緩沖層之上;以及
第二金屬層,位于所述柵絕緣層之上,包括柵極和柵線。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層的材料為鉬、鉬/銅、或鉬鈦合金/銅。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述熱氧化保護層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
4.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第一鈍化層,位于所述緩沖層之上,且覆蓋所述第二金屬層和所述有源層,所述第一鈍化層上形成有第三過孔和第四過孔;
電極層,位于所述第一鈍化層之上,包括像素電極和覆晶薄膜綁定端子,所述像素電極通過所述第三過孔與所述有源層相連,所述覆晶薄膜綁定端子通過所述第四過孔與所述柵線相連;
LED芯片綁定端子,位于所述像素電極之上;
第二鈍化層,位于所述第一鈍化層和所述LED芯片綁定端子之上;
遮光層,位于所述第二鈍化層之上;以及
LED芯片,位于所述LED芯片綁定端子之上,且對應于所述第三過孔設置。
5.如權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述LED芯片綁定端子的材料為銅、或銅/鉬。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供一襯底層;
在所述襯底層之上制備第一金屬層;
在所述第一金屬層之上制備熱氧化保護層;
將所述第一金屬層和所述熱氧化保護層圖案化,形成源極和漏極;
在所述襯底層之上制備緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述熱氧化保護層;
將所述緩沖層圖案化,形成分別對應所述源極和所述漏極的第一過孔和第二過孔;
在所述緩沖層之上制備有源層,所述有源層通過所述第一過孔與所述源極相連,通過所述第二過孔與所述漏極相連;
在所述有源層和所述緩沖層之上制備柵絕緣層;
在所述柵絕緣層之上制備第二金屬層;以及
將所述第二金屬層和所述柵絕緣層圖案化,形成柵極和柵線。
7.如權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述第一金屬層的材料為鉬、鉬/銅、或鉬鈦合金/銅。
8.如權利要求7所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述熱氧化保護層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
9.如權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,還包括步驟:
在所述緩沖層、所述有源層、以及所述第二金屬層之上制備第一鈍化層;
將所述第一鈍化層圖案化,形成第三過孔和第四過孔;
在所述第一鈍化層之上制備電極層,將所述電極層圖案化形成像素電極和覆晶薄膜綁定端子,所述像素電極通過所述第三過孔與所述有源層相連,所述覆晶薄膜綁定端子通過所述第四過孔與所述柵線相連;
在所述像素電極之上制備LED芯片綁定端子;
在所述第一鈍化層和所述LED芯片綁定端子之上制備第二鈍化層;
在所述第二鈍化層之上制備圖案化遮光層;
以所述圖案化遮光層為光罩將所述第二鈍化層圖案化;以及
在所述LED芯片綁定端子之上且對應于所述第三過孔處綁定LED芯片。
10.如權利要求9所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述LED芯片綁定端子的材料為銅、或銅/鉬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





