[發明專利]氮化鎵半導體器件

在審

• 申請號: 202011204420.3
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112259606A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 姚衛剛;李浩
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 珠海智專專利商標代理有限公司 44262
• 代理人: 薛飛飛;黃國豪

本發明提供一種氮化鎵半導體器件，氮化鎵半導體器件包括源極焊盤、柵極焊盤、漏極焊盤、柵極總線、多個柵極指狀部、多個源極觸件和多個漏極觸件；柵極指狀部、源極觸件和漏極觸件均沿著第一方向延伸并沿著第二方向布置，第二方向垂直于第一方向，每個柵極指狀部位于相鄰的源極觸件和漏極觸件之間；源極焊盤和漏極焊盤沿著第一方向布置，源極觸件和漏極觸件均位于源極焊盤和漏極焊盤之間；柵極總線沿著第二方向延伸，多個柵極指狀部通過柵極總線與柵極焊盤連接，多個源極觸件均與源極焊盤連接，多個漏極觸件均與漏極焊盤連接；位于第二方向中部的柵極指狀部的長度小于位于第二方向兩端的柵極指狀部的長度。該氮化鎵半導體器件內部溫度分布均勻。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體地說，是涉及一種氮化鎵半導體器件。

背景技術

氮化鎵半導體器件在功率放大領域具有非常廣泛的應用前景，如圖1所示，現有的氮化鎵半導體器件的柵極指狀部長度相等，功率密度高，結溫高且不均衡，多個柵極指狀部之間互相加熱，使得氮化鎵半導體器件中心溫度高，四周溫度低，中心的高溫區限制了功率的輸出，導致了氮化鎵半導體器件性能下降、壽命縮短。

發明內容

本發明的目的是提供一種器件內部溫度分布均勻的氮化鎵半導體器件。

為實現上述第一目的，本發明提供一種氮化鎵半導體器件，包括源極焊盤、柵極焊盤、漏極焊盤、柵極總線、多個柵極指狀部、多個源極觸件和多個漏極觸件；柵極指狀部、源極觸件和漏極觸件均沿著第一方向延伸并沿著第二方向布置，第二方向垂直于第一方向，每個柵極指狀部位于相鄰的源極觸件和漏極觸件之間；源極焊盤和漏極焊盤沿著第一方向布置，源極觸件和漏極觸件均位于源極焊盤和漏極焊盤之間；柵極總線沿著第二方向延伸，多個柵極指狀部通過柵極總線與柵極焊盤連接，多個源極觸件均與源極焊盤連接，多個漏極觸件均與漏極焊盤連接；位于第二方向中部的柵極指狀部的長度小于位于第二方向兩端的柵極指狀部的長度。

由上述方案可見，通過將柵極指狀部改為非等長，且兩側長中間短的結構，從而縮短中心熱源，加長兩側熱源，充分利用氮化鎵半導體器件有源區邊緣的熱擴散面積，平衡器件內部有源區的溫度，使氮化鎵半導體器件結溫均衡，同時可以有效降低結溫。

一個優選的方案是，沿著第二方向，柵極指狀部的長度先逐漸減小后逐漸增大。

進一步的方案是，在第二方向的中點位置的柵極指狀部的長度最短。

由此可見，這樣可以保證位于中心位置的柵極指狀部的長度最短，位于兩端的柵極指狀部的長度最長，從而進一步提高氮化鎵半導體器件結溫均衡性。

一個優選的方案是，源極焊盤的橫截面呈三角形。

進一步的方案是，源極焊盤的橫截面呈等腰三角形。

一個優選的方案是，漏極焊盤的橫截面呈三角形。

進一步的方案是，漏極焊盤的橫截面呈等腰三角形。

再進一步的方案是，柵極總線連接在柵極指狀部靠近漏極焊盤的一端，柵極總線包括相連接的第一折彎段和第二折彎段，第一折彎段和第二折彎段分別平行于等腰三角形的兩條腰。

一個優選的方案是，多個柵極指狀部等間距布置。

附圖說明

圖1是本發明氮化鎵半導體器件沿豎直方向的截面圖。

圖2是本發明氮化鎵半導體器件中金屬走線的示意圖。

以下結合附圖及實施例對本發明作進一步說明。

具體實施方式