[發(fā)明專利]氮化鎵半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011204420.3
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112259606A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚衛(wèi)剛;李浩
• 申請（專利權(quán)）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 珠海智專專利商標(biāo)代理有限公司 44262
• 代理人: 薛飛飛;黃國豪

1.氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括源極焊盤、柵極焊盤、漏極焊盤、柵極總線、多個柵極指狀部、多個源極觸件和多個漏極觸件；

所述柵極指狀部、所述源極觸件和所述漏極觸件均沿著第一方向延伸并沿著第二方向布置，所述第二方向垂直于所述第一方向，每個所述柵極指狀部位于相鄰的所述源極觸件和所述漏極觸件之間；

所述源極焊盤和所述漏極焊盤沿著所述第一方向布置，所述源極觸件和所述漏極觸件均位于所述源極焊盤和所述漏極焊盤之間；

所述柵極總線沿著所述第二方向延伸，多個所述柵極指狀部通過所述柵極總線與所述柵極焊盤連接，多個所述源極觸件均與所述源極焊盤連接，多個所述漏極觸件均與所述漏極焊盤連接；

位于所述第二方向中部的所述柵極指狀部的長度小于位于所述第二方向兩端的所述柵極指狀部的長度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

沿著所述第二方向，所述柵極指狀部的長度先逐漸減小后逐漸增大。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

在所述第二方向的中點(diǎn)位置的所述柵極指狀部的長度最短。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述源極焊盤的橫截面呈三角形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述源極焊盤的橫截面呈等腰三角形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述漏極焊盤的橫截面呈三角形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述漏極焊盤的橫截面呈等腰三角形。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述柵極總線連接在所述柵極指狀部靠近所述漏極焊盤的一端，所述柵極總線包括相連接的第一折彎段和第二折彎段，所述第一折彎段和所述第二折彎段分別平行于所述等腰三角形的兩條腰。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于：

多個所述柵極指狀部等間距布置。