[發(fā)明專利]引線框架表面粗糙度的制造設(shè)備及制造方法

在審

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• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112331566A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 門松明珠;周愛和
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山一鼎工業(yè)科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/00;C25D17/00;C25D21/00
• 代理公司: 常州至善至誠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32409
• 代理人: 趙旭

本發(fā)明公開了一種引線框架表面粗糙度的制造設(shè)備及制造方法，引線框架表面粗糙度的制造設(shè)備包括：放料裝置、清洗裝置、電解銅裝置和收料裝置；電解銅裝置能夠通過脈沖逆向電解技術(shù)對引線框架材料的表面粗糙度進(jìn)行調(diào)控，電解銅裝置包括：脈沖逆向電源，脈沖逆向電源能夠輸出脈沖正、反向電流和正、反向脈沖時間；電解銅工藝槽，電解銅工藝槽的數(shù)量為多個，引線框架材料可以從多個電解銅工藝槽穿過，引線框架材料不斷向前移動形成移動路徑；電解銅藥水，引線框架材料能夠浸在電解銅藥水中。該設(shè)備生產(chǎn)的引線框架材料的電解銅膜厚均勻性得到提高，增強了引線框架材料表面與感光干膜的結(jié)合強度，具有生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品質(zhì)量高等優(yōu)點。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于連續(xù)引線框架表面處理制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種引線框架表面粗糙度的制造設(shè)備及制造方法。

背景技術(shù)

由高精密芯片和引線框架封裝而成的精密集成電路是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要核心電子產(chǎn)品。其中，引線框架的重要作用是支撐芯片、保護(hù)內(nèi)部元件、連接外部電路，是集成電路中的關(guān)鍵材料。隨著電子信息高新技術(shù)的迅速發(fā)展，產(chǎn)品向微型化、多功能和智能化發(fā)展。因此，促使引線框架材料向著引線節(jié)距微細(xì)化、高密度的方向發(fā)展。這不僅對引線框架材料的強度和導(dǎo)電性提出了更高的要求，而且對材料的加工性能也提出了更高的要求。例如，引線框架材料不允許出現(xiàn)擦傷、脫皮、氧化、水跡和外觀顏色不均勻等缺陷。

半導(dǎo)體集成電路的引線框架材料制造方法以引線框架材料表面采用感光干膜熱壓工藝已經(jīng)成為主流。近年來，隨著半導(dǎo)體的高集成化，由于半導(dǎo)體封裝基板和印刷布線基板電路的微細(xì)化發(fā)展，對引線框架材料表面質(zhì)量的要求越來越高。也就是說，引線框架材料表面粗糙度是影響干膜熱壓工藝的重要因素，也是封裝過程能否與封裝材料緊密結(jié)合的關(guān)鍵要素。因此，研究開發(fā)引線框架材料表面的清洗生產(chǎn)設(shè)備成為十分重要的課題，特別是研究開發(fā)引線框架材料表面粗糙度的制造方法以及制造設(shè)備成為亟待解決的課題。

專利文獻(xiàn)1(CN 101864586 B)：記載了將金屬材料通過脫脂和酸洗進(jìn)行前處理并烘干后，在金屬材料的上下兩面用感光膜通過熱壓處理后，用紫外光穿過特制的引線框架圖案的模具對貼有感光膜引線框架進(jìn)行曝光，并用顯影溶液處理后進(jìn)行蝕刻和電鍍處理制備引線框架材料的方法。然而，該方法存在著感光膜與金屬材料表面有結(jié)合不牢固的缺陷，導(dǎo)致電鍍?nèi)芤航敫泄饽づc金屬之間的間隙而被電鍍并導(dǎo)致蝕刻區(qū)域的微小部分沒有被蝕刻或完全沒被蝕刻去除的問題。

專利文獻(xiàn)2(JP 6406711 B2)：敘述了片式引線框架的制造方法，第一鍍層的步驟包括在金屬板的正面和背面的預(yù)定位置依次形成Ni鍍層，Pd鍍層和Au鍍層。第二鍍層優(yōu)選為形成Ag鍍層的方法。然而，所述制造方法是片式生產(chǎn)工藝，存在生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品質(zhì)量不均勻的缺陷；此外，文中沒有記載金屬材料的清洗工藝流程。

專利文獻(xiàn)3(JP 4431860 B2)：描述了表面粗化劑過氧化氫與硫酸體系對銅以及銅合金材料表面進(jìn)行粗化提供引線框架材料的方法。但是，近年來，由于蝕刻圖案的微細(xì)化，因此對金屬材料表面與感光干膜熱壓結(jié)合強度的要求越來越高，表面粗化劑方法所提供的金屬表面的結(jié)合強度不充分。此外，用該方法粗化后的銅表面具有非常容易氧化的缺陷。

專利文獻(xiàn)4(JP 1997-298265 A)：提出了在引線框架表面形成多層不同密度的鎳鍍層來提高與封裝材料結(jié)合強度的技術(shù)。采用多層鎳鍍層的下層由形成平滑且致密的層的鎳鍍層形成，其上層由使垂直方向的晶體生長優(yōu)先的脈沖鎳鍍層形成。但是，在該多鍍層技術(shù)中，無法得到上部鎳鍍層的足夠的表面粗糙度，致使與封裝材料的結(jié)合力弱。因此，該技術(shù)存在著與封裝材料結(jié)合強度不足的缺陷。