[發明專利]引線框架表面粗糙度的制造設備及制造方法

在審

• 申請號: 202011204117.3
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112331566A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 門松明珠;周愛和
• 申請（專利權）人: 昆山一鼎工業科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/00;C25D17/00;C25D21/00
• 代理公司: 常州至善至誠專利代理事務所(普通合伙) 32409
• 代理人: 趙旭

1.一種引線框架表面粗糙度的制造設備，其特征在于，按生產工藝順序從前至后依次設置有：放料裝置、清洗裝置、電解銅裝置和收料裝置，所述放料裝置能夠對料盤上的引線框架材料進行放料；所述清洗裝置能夠對引線框架材料進行清洗，去除表面雜質；所述收料裝置能夠將處理好的引線框架材料進行收卷；所述電解銅裝置能夠通過脈沖逆向電解技術對引線框架材料的表面粗糙度進行調控，所述電解銅裝置包括：

脈沖逆向電源，所述脈沖逆向電源能夠輸出脈沖正、反向電流和正、反向脈沖時間；

電解銅工藝槽，所述電解銅工藝槽的數量為多個，所述引線框架材料可以從多個所述電解銅工藝槽穿過，所述引線框架材料不斷向前移動形成移動路徑；

電解銅藥水，所述電解銅藥水設在所述電解銅工藝槽內，所述引線框架材料能夠浸在所述電解銅藥水中。

2.根據權利要求1所述的引線框架表面粗糙度的制造設備，其特征在于，每個所述電解銅工藝槽內均設有兩個電極板，兩個所述電極板相對設置在所述引線框架材料的兩側，所述移動路徑位于兩個所述電極板之間。

3.根據權利要求2所述的引線框架表面粗糙度的制造設備，其特征在于，電極板的表面積與浸在每個電解銅工藝槽中的所述引線框架材料的表面積比為5：1。

4.根據權利要求3所述的引線框架表面粗糙度的制造設備，其特征在于，所述電極板的形狀形成為片面、網狀或者異形狀，每個所述電解銅工藝槽內的兩個電極板為相同形狀或者不同形狀的組合。

5.一種引線框架表面粗糙度的制造方法，采用權利要求1-4任一項所述的引線框架表面粗糙度的制造設備，通過脈沖逆向電解技術對引線框架表面粗糙度進行調控，其特征在于，包括以下步驟：

S1、分析測試引線框架表面粗糙度，計算得出引線框架表面粗糙度算數平均值；

S2、將引線框架材料從放料機導出，進入電解脫脂槽清洗，然后再進入酸活化槽清洗，得到清潔的引線框架材料；

S3、電解鍍銅工段：根據電解銅表面粗糙度，確定脈沖逆向電源輸出的脈沖正、反向電流和正、反向脈沖時間；

S4、將所述脈沖正、反向電流通過電極板施加在所述引線框架材料表面，并使施加在所述引線框架材料上的電流方向朝向電極板面；

S5、開啟脈沖逆向電源，預熱后，控制施加正反向脈沖電流和所述正、反向脈沖時間按引線框架材料的移動路徑依次經過多個電解銅工藝槽的處理后得到產品所需引線框架表面粗糙度。

6.根據權利要求5所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，電解銅表面粗糙度＝產品所需引線框架材料表面粗糙度-引線框架材料表面粗糙度。

7.根據權利要求6所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，所述電解銅表面粗糙度的算數平均值范圍均為0.05μm～5.0μm。

8.根據權利要求5所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，所述脈沖逆向電源輸出的脈沖正向電流范圍為5A～500A，所述脈沖逆向電源輸出的反向電流范圍為20A～1000A。

9.根據權利要求5所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，所述脈沖逆向電源輸出的脈沖正向脈沖時間可選范圍為5ms～100ms；所述脈沖逆向電源輸出的脈沖反向脈沖時間范圍為1ms～30ms。

10.根據權利要求5所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，所述電解銅工藝槽內設有電解銅藥水，所述電解銅藥水需要滿足所述脈沖逆向電源輸出的脈沖正、反向電流密度使用范圍。

11.根據權利要求10所述的引線框架表面粗糙度的制造方法，其特征在于，脈沖正向電流密度范圍為2A/dm²～70A/dm²，脈沖反向電流密度范圍為5A/dm²～170A/dm²。