[發(fā)明專利]芯片測(cè)試系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011203917.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114446808A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡振龍;基因·羅森塔爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 第一檢測(cè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
1.一種芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述芯片測(cè)試系統(tǒng)用以對(duì)多個(gè)芯片進(jìn)行一測(cè)試作業(yè),所述芯片測(cè)試系統(tǒng)包含:
一芯片托盤(pán)套件,其包含:
一托盤(pán),其具有多個(gè)托盤(pán)穿孔,各個(gè)所述托盤(pán)穿孔貫穿所述托盤(pán)設(shè)置;
多個(gè)芯片固定件,其可拆卸地固定于所述托盤(pán),且各個(gè)所述芯片固定件位于各個(gè)所述托盤(pán)穿孔中;各個(gè)所述芯片固定件具有多個(gè)固定穿孔及多個(gè)芯片容槽,各個(gè)所述固定穿孔貫穿所述芯片固定件設(shè)置,各個(gè)所述芯片容槽與各個(gè)所述固定穿孔相連通,各個(gè)所述芯片容槽用以容置一個(gè)所述芯片,且容置于各個(gè)所述芯片容槽的所述芯片的多個(gè)連接部通過(guò)所述芯片固定;及
多個(gè)輔助插入件,其可拆卸地固定設(shè)置于多個(gè)所述芯片固定件的一側(cè),各個(gè)所述輔助插入件用以限制設(shè)置于各個(gè)所述芯片固定件中的多個(gè)所述芯片相對(duì)于所述芯片固定件的活動(dòng)范圍;各個(gè)所述輔助插入件具有多個(gè)所述插入穿孔,各個(gè)所述輔助插入件固定設(shè)置于所述芯片固定件的一側(cè)時(shí),各個(gè)所述插入穿孔與所述芯片容槽相互連通;
一插入件安裝設(shè)備,其用以將多個(gè)所述輔助插入件安裝于多個(gè)所述芯片固定件的一側(cè);
一芯片測(cè)試設(shè)備,其包含:
至少一測(cè)試機(jī)臺(tái),其能與所述芯片托盤(pán)套件相連接,且所述測(cè)試機(jī)臺(tái)用以對(duì)所述芯片托盤(pán)套件所承載的多個(gè)所述芯片進(jìn)行所述測(cè)試作業(yè);
至少一蓋體,其一側(cè)內(nèi)凹形成有一容槽,所述蓋體用以蓋設(shè)于所述托盤(pán)的一側(cè);
多個(gè)抵壓組件,其設(shè)置于所述蓋體,且各個(gè)所述抵壓組件位于所述蓋體的所述容槽中,多個(gè)所述抵壓組件用以抵壓所述芯片托盤(pán)套件的多個(gè)所述芯片固定件所承載的多個(gè)所述芯片的一表面;及
一溫度調(diào)節(jié)裝置,其與多個(gè)所述抵壓組件相連接,所述溫度調(diào)節(jié)裝置用以使各個(gè)所述抵壓件的溫度到達(dá)一預(yù)定溫度;
一插入件拆卸設(shè)備,其用以將多個(gè)所述輔助插入件由多個(gè)所述芯片固定件的一側(cè)卸下;以及
一輸送設(shè)備,其用以移載所述芯片托盤(pán)套件。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述芯片測(cè)試設(shè)備包含至少四個(gè)腔室、一低溫測(cè)試模塊、一高溫測(cè)試模塊、至少五個(gè)活動(dòng)門(mén)及一充氣裝置,四個(gè)所述腔室分別定義為一預(yù)備腔室、一低溫腔室、一緩沖腔室及一高溫腔室,所述預(yù)備腔室內(nèi)的溫度低于室溫且高于所述低溫腔室內(nèi)的溫度,所述低溫腔室內(nèi)的溫度介于負(fù)50度至20度,所述緩沖腔室內(nèi)的溫度高于所述低溫腔室的溫度且低于所述高溫腔室的溫度,所述高溫腔室內(nèi)的溫度介于25度至150度;所述低溫測(cè)試模塊設(shè)置所述低溫腔室,所述低溫測(cè)試模塊用以接觸所述芯片托盤(pán)套件所承載的多個(gè)所述芯片,而使多個(gè)所述芯片于低溫狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試;所述高溫測(cè)試模塊設(shè)置所述高溫腔室,所述高溫測(cè)試模塊用以接觸所述芯片托盤(pán)套件所承載的多個(gè)所述芯片,而使多個(gè)所述芯片于高溫狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試;各個(gè)所述腔室之間設(shè)置有一個(gè)所述活動(dòng)門(mén),所述充氣裝置用以將潔凈的一極干燥氣體(super dry air)充入各個(gè)所述腔室;當(dāng)任一個(gè)所述活動(dòng)門(mén)被開(kāi)啟時(shí),所述充氣裝置將對(duì)相對(duì)應(yīng)的所述腔室充入所述極干燥氣體。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述芯片測(cè)試設(shè)備包含至少三個(gè)腔室、一低溫測(cè)試模塊、至少三個(gè)活動(dòng)門(mén)及一充氣裝置,兩個(gè)所述腔室分別定義為一預(yù)備腔室、一低溫腔室及一緩沖腔室,所述預(yù)備腔室內(nèi)的溫度低于室溫且高于所述低溫腔室內(nèi)的溫度,所述低溫腔室內(nèi)的溫度介于負(fù)50度至20度,所述緩沖腔室內(nèi)的溫度高于所述低溫腔室的溫度且低于25度;所述低溫測(cè)試模塊設(shè)置所述低溫腔室,所述低溫測(cè)試模塊用以接觸所述芯片托盤(pán)套件所承載的多個(gè)所述芯片,而使多個(gè)所述芯片于低溫狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試;兩個(gè)所述腔室之間設(shè)置有一個(gè)所述活動(dòng)門(mén),所述充氣裝置用以將潔凈的一極干燥氣體充入各個(gè)所述腔室;當(dāng)任一個(gè)所述活動(dòng)門(mén)被開(kāi)啟時(shí),所述充氣裝置將對(duì)相對(duì)應(yīng)的所述腔室充入所述極干燥氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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