[發明專利]處理基板的裝置和方法

在審

• 申請號: 202011203513.4
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112750729A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 裴文炯;白惠斌;安迎曙;李銀卓;樸珉貞;李承漢;李政炫
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;石寶忠

本發明構思提供一種用氣體處理基板的裝置和方法。所述裝置包括：具有在其中處理基板的加工空間的腔室；在加工空間中支承基板的基板支承單元；將疏水性氣體供應到支承在基板支承單元上的基板上的氣體供應單元；以及控制基板支承單元和氣體供應單元的控制器。基板支承單元包括在其上放置基板的支承板以及將基板抬離支承板或將基板下降到支承板上的銷組件，并且控制器通過調節銷組件來控制基板表面的疏水化程度。

技術領域

本文描述的發明構思的實施方式涉及一種處理基板的裝置和方法，并且更特別地，涉及一種用氣體處理基板的裝置和方法。

背景技術

為了制造半導體器件，要進行諸如清洗、沉積、光刻、蝕刻、離子注入等各種工藝。這些工藝分別在內部具有加工空間的腔室內進行。

光刻工藝包括在基板上形成涂膜的涂覆過程，并且在形成涂膜之前必須對基板進行表面改性。表面改性是將基板表面的性質更改為與涂膜相同或相似的性質的過程。表面改性包括將工藝氣體供應到基板表面的過程。例如，涂膜可具有疏水性，而工藝氣體可包括疏水性氣體。

疏水性氣體使基板表面疏水化，而疏水化程度成為影響涂膜附著和厚度的重要因素。因此，取決于涂膜的性質和類型、工藝、和環境，可以不同地施加疏水化程度。

然而，疏水性氣體是將疏水性液體氣化而產生的氣體，它難以調節疏水性氣體的流量。例如，可以通過向疏水性液體供應氣化氣體來形成疏水性氣體。在安裝了諸如閥的調節構件來調節疏水性氣體流量的情況下，可能影響氣化氣體的供應。

因此，為了不同地施加疏水化程度，必須在具有不同環境的裝置中進行疏水化過程。

發明內容

本發明構思的實施方式提供一種用于調節基板表面的疏水化程度的裝置和方法。

此外，本發明構思的實施方式提供用于在同一裝置中不同地施加基板表面的疏水化程度的裝置和方法。

根據一個示例性實施方式，一種用于處理基板的裝置包括：腔室，其具有在其中處理基板的加工空間；基板支承單元，其在加工空間中支承基板；氣體供應單元，其將疏水性氣體供應到支承在基板支承單元上的基板上；以及控制器，其控制基板支承單元和氣體供應單元。基板支承單元包括在其上放置基板的支承板以及將基板抬離支承板或將基板下降到支承板上的銷組件(pin assembly)，并且控制器通過調節銷組件來控制基板表面的疏水化程度。

控制器可以將第一基板移動至第一高度，以使第一基板的表面具有第一疏水性，并且可以將第二基板移動至第二高度，以使第二基板的表面具有第二疏水性。第一疏水性可以具有比第二疏水性更高的疏水化程度，并且第一高度可以比第二高度更靠近氣體供應單元。氣體供應單元可以包括氣體供應管，其將疏水性氣體供應到加工空間中并且位于支承板上方，氣體供應管的分配端可以定位成從上方觀察時與支承板重疊，并且第一高度可以比第二高度更靠近分配端。控制器可以控制氣體供應單元，以使從氣體供應管分配的疏水性氣體的流量恒定。

第一高度可以是第一基板與支承板間隔開的高度，第二高度可以是將第二基板安放在支承板上的高度。

第一高度可以是第一基板與支承板間隔開的高度，第二高度可以是第二基板與支承板間隔開的高度。

根據一個示例性實施方式，一種處理基板的方法包括：第一處理步驟，其中通過向第一基板供應疏水性氣體從而將第一基板的表面疏水化以使第一基板的表面具有第一疏水性，和第二處理步驟，其中通過向第二基板供應疏水性氣體從而將第二基板的表面疏水化以使第二基板的表面具有第二疏水性。第一疏水性和第二疏水性具有不同的疏水化程度，并且第一處理步驟中分配疏水性氣體的分配端和第一基板之間的第一距離不同于第二處理步驟中分配疏水性氣體的分配端和第二基板之間的第二距離。