[發明專利]處理基板的裝置和方法

在審

• 申請號: 202011203513.4
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112750729A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 裴文炯;白惠斌;安迎曙;李銀卓;樸珉貞;李承漢;李政炫
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;石寶忠

1.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括：

腔室，其具有在其中處理所述基板的加工空間；

基板支承單元，其被構造成在所述加工空間中支承所述基板；

氣體供應單元，其被構造成將疏水性氣體供應到支承在所述基板支承單元上的所述基板上；以及

控制器，其被構造成控制所述基板支承單元和所述氣體供應單元，

其中所述基板支承單元包括：

支承板，在所述支承板上放置所述基板；以及

被構造成將所述基板抬離所述支承板或將所述基板下降到所述支承板上的銷組件，并且

其中所述控制器通過調節所述銷組件來控制所述基板的表面的疏水化程度。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述控制器將第一基板移動至第一高度以使所述第一基板的表面具有第一疏水性，并將第二基板移動至第二高度以使所述第二基板的表面具有第二疏水性，

其中所述第一疏水性具有比所述第二疏水性更高的疏水化程度，并且

其中所述第一高度比所述第二高度更靠近所述氣體供應單元。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述氣體供應單元包括氣體供應管，所述氣體供應管被構造成將所述疏水性氣體供應到所述加工空間中并且位于所述支承板上方，

其中所述氣體供應管的分配端被定位成從上方觀察時與所述支承板重疊，并且

其中所述第一高度比所述第二高度更靠近所述分配端。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述控制器控制所述氣體供應單元，以使從所述氣體供應管分配的所述疏水性氣體的流量恒定。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的裝置，其中所述第一高度是所述第一基板與所述支承板間隔開的高度，并且

其中所述第二高度是所述第二基板安放在所述支承板上的高度。

6.根據權利要求2至4中任一項所述的裝置，其中所述第一高度是所述第一基板與所述支承板間隔開的高度，并且

其中所述第二高度是所述第二基板與所述支承板間隔開的高度。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置，其中由所述氣體供應單元供應的所述疏水性氣體包括六甲基乙硅烷(HMDS)氣體。

8.一種處理基板的方法，所述方法包括：

第一處理步驟，其中，通過向第一基板供應疏水性氣體從而將所述第一基板的表面疏水化以使所述第一基板的表面具有第一疏水性；和

第二處理步驟，其中，通過向第二基板供應疏水性氣體從而將所述第二基板的表面疏水化以使所述第二基板的表面具有第二疏水性，

其中所述第一疏水性和所述第二疏水性具有不同的疏水化程度，并且

其中所述第一處理步驟中分配所述疏水性氣體的分配端和所述第一基板之間的第一距離不同于所述第二處理步驟中分配所述疏水性氣體的分配端和所述第二基板之間的第二距離。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一疏水性具有比所述第二疏水性更高的疏水化程度，并且

其中所述第一距離小于所述第二距離。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一處理步驟中所用的所述疏水性氣體與所述第二處理步驟中所用的所述疏水性氣體相同。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一處理步驟和所述第二處理步驟在同一腔室中進行。

12.根據權利要求11所述的方法，其中分配所述疏水性氣體的所述分配端面向被構造成支承所述第一基板和所述第二基板的支承板，并且被定位成從上方觀察時與所述支承板重疊。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述分配端被定位成面向所述第一基板的中心和所述第二基板的中心。