[發明專利]基板的焊接槽形成工藝及其基板在審
| 申請號: | 202011202784.8 | 申請日: | 2020-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN114446795A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 章恒鏢 | 申請(專利權)人: | 杭州骉昇科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/14 |
| 代理公司: | 杭州萬合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人: | 丁海華 |
| 地址: | 311401 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 焊接 形成 工藝 及其 | ||
本發明公開了基板的焊接槽形成工藝及其基板,包括以下步驟:對基板進行等離子清洗,干燥;在干燥后的基板表面,選取多個遮蔽區域,用覆蓋材料進行遮蔽;在基板的上表面進行鍍鎳,鍍覆至少一層鎳層;將基板表面遮蔽區域的覆蓋材料去除掉,在基板的表面形成多個焊接槽;再對基板進行等離子清洗,干燥后得到成品。本發明能夠有效形成焊接槽,形成的焊接槽大大提高焊接部件的強度和牢固度。
技術領域
本發明涉及金屬板焊接工藝領域,特別基板的焊接槽形成工藝及其基板。
背景技術
DBC板是銅-陶瓷直接結合在一起的復合材料,一般為三層結構,上下兩層為銅層,中間層為陶瓷層,該種板具有優良的電絕緣性和導熱特性,在相同功率的電力半導體中,DBC板的焊接式模塊,與普通焊接式模塊相比,不僅體積小,重量輕,省部件,并且具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度,因此當前選用DBC板作為功率模塊硅芯片的承載體是業內發展方向。例如公開號為CN102264504A的中國發明專利,公開了一種鍍鋅金屬板中空體的制造方法,該中空體至少包括第一金屬板面板,該第一金屬板面板與第二金屬板面板裝配在一起,所述第一面板包括垂直于由曲率半徑連接的平行端部的主部,所述方法包括至少一個激光焊接步驟,在該激光焊接步驟期間,將第一面板以預定間隙激光焊接至第二面板。但是該發明存在一定的不足,其焊接工藝方法中,沒有對非焊接面進行一定程度的保護,焊接結構上不夠穩定牢固,可能會對部件的工作強度產生影響。
發明內容
本發明的目的在于,提供基板的焊接槽形成工藝及其基板。本發明能夠有效形成焊接槽,形成的焊接槽大大提高焊接部件的強度和牢固度。
本發明的技術方案:基板的焊接槽形成工藝,包括以下步驟:
S1:對基板進行等離子清洗,干燥;
S2:在干燥后的基板表面,選取多個遮蔽區域,用覆蓋材料進行遮蔽;
S3:在基板的上表面進行鍍鎳,鍍覆至少一層鎳層;
S4:將基板表面遮蔽區域的覆蓋材料去除掉,在基板的表面形成多個焊接槽;
S5:再對基板進行等離子清洗,干燥后得到成品。
上述的基板的焊接槽形成工藝中,所述的覆蓋材料可以是膠、蠟或者覆蓋膜。
前述的基板的焊接槽形成工藝中,所述的遮蔽區域包括主體遮蔽區域,主體遮蔽區域的四周設有側部遮蔽區域。
前述的基板的焊接槽形成工藝中,所述的焊接槽的形狀為立方體狀槽體。
前述的基板的焊接槽形成工藝中,所述的焊接槽的面積占據基板整體的面積的一半以上。
實現前述工藝的具有焊接槽的基板,包括板體,所述板體的表面設有鍍鎳層;一側的鍍鎳層上設有多個焊接槽,焊接槽的槽底深至板體表面;所述板體的四周設有安裝孔,板體的短邊側設有短側槽,板體的長邊側設有長側槽;所述的鍍鎳層上設有多個出氣孔,出氣孔與焊接槽相連通。
前述的具有焊接槽的基板中,所述的焊接槽為立方體狀槽體。
前述的具有焊接槽的基板中,所述的焊接槽為圓柱體狀槽體。
前述的具有焊接槽的基板中,所述的焊接槽內設有第一側壁,第一側壁上設有第一腔,第一側壁的鄰側設有第二側壁,第二側壁上設有第二腔,所述的出氣孔的下口與第一腔或者第二腔連通。
與現有技術相比,本發明具有以下的優點:
1、本發明通過使用覆蓋材料對基板表面進行一定區域的遮蔽,在進行鍍鎳時,該遮蔽區域就不會有鍍鎳層,鍍鎳完成后,將該區域的覆蓋材料去除,即可形成有效的焊接槽,焊接槽的槽底為板體表面,電路板的連接部位直接與板體進行焊接,從而大大地提高了焊接后各部件的連接強度,保證了產品的性能和壽命;如果直接材鍍鎳層上進行焊接,會導致焊接牢固度不高的問題。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





