[發明專利]三維存儲器的控制方法、裝置及存儲介質

有效

• 申請號: 202011200027.7
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112562761B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

本發明實施例提供了一種三維存儲器的控制方法、裝置及存儲介質。其中，方法包括：選擇三維存儲器的一個存儲陣列塊中的一個存儲單元；對選擇的存儲單元進行讀取操作或寫操作；其中，在該過程中，對選定的字線施加第一電壓，對選定的位線施加第二電壓，對選擇的存儲陣列塊中所有未選定的字線均施加第三電壓，對選擇的存儲陣列塊中所有未選定的位線均施加第四電壓；在第一電壓、第二電壓、第三電壓及第四電壓的作用下，使得施加在選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差大于選擇的存儲單元的選擇器的閾值電壓，且施加在選擇的存儲陣列塊中所有未被選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差均小于預設電壓；預設電壓小于閾值電壓。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種三維存儲器的控制方法、裝置及存儲介質。

背景技術

三維相變存儲器(相變存儲器英文可以表達為Phase Change Memory，英文縮寫可以表達為PCM)是一種使用硫族化合物作為存儲介質的存儲技術，利用材料在不同狀態下的電阻差異來保存數據。三維相變存儲器具有可按位尋址、斷電后數據不丟失、存儲密度高、讀寫速度快等優勢，被認為是最有前景的下一代存儲器。

然而，三維相變存儲器技術中存在各種挑戰，例如，在對選擇的存儲單元進行讀操作或者寫操作時，選擇的存儲單元周圍的存儲單元對選擇的存儲單元存在干擾的問題。

發明內容

為解決相關技術問題，本發明實施例提出一種三維存儲器的控制方法、裝置及存儲介質，能夠在對選擇的存儲單元進行讀操作或者寫操作時，在一定程度上減輕選擇的存儲單元周圍的存儲單元對選擇的存儲單元的干擾作用。

本發明實施例提供了一種三維存儲器的控制方法，包括：

選擇三維存儲器的一個存儲陣列塊中的一個存儲單元；其中，選擇的存儲單元耦合到選定的字線和選定的位線上；

對所述選擇的存儲單元進行讀取操作或寫操作；其中，在進行讀取操作或寫操作的過程中，對所述選定的字線施加第一電壓，對所述選定的位線施加第二電壓，對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的字線均施加第三電壓，對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的位線均施加第四電壓；在所述第一電壓、第二電壓、第三電壓及第四電壓的作用下，使得施加在所述選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差大于所述選擇的存儲單元的選擇器的閾值電壓，且施加在所述選擇的存儲陣列塊中所有未被選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差均小于預設電壓；所述預設電壓小于所述閾值電壓。

上述方案中，所述選擇三維存儲器的一個存儲陣列塊中的一個存儲單元，包括，選擇三維存儲器的一個存儲陣列塊中的上部存儲單元或選擇三維存儲器的一個存儲陣列塊中的下部存儲單元；對應地，所述對所述選擇的存儲單元進行讀取操作或寫操作時，施加在選擇的上部存儲單元對應的位線與字線上的電壓差與施加在選擇的下部存儲單元對應的字線與位線上的電壓差的極性相同或相反。

上述方案中，若施加在所述選擇的上部存儲單元對應的位線與字線上的電壓差與施加在所述選擇的下部存儲單元對應的字線與位線上的電壓差的極性相同，

當所述選擇的存儲單元為下部存儲單元時，所述第一電壓包括第一電壓值 V，所述第二電壓包括接地電壓，所述第三電壓包括1/3V；所述第四電壓包括 2/3V；

當所述選擇的存儲單元為上部存儲單元時，所述第一電壓包括接地電壓，所述第二電壓包括V，所述第三電壓包括2/3V；所述第四電壓包括1/3V。

上述方案中，若施加在所述選擇的上部存儲單元對應的位線與字線上的電壓差與施加在所述選擇的下部存儲單元對應的字線與位線上的電壓差的極性相同；

當所述選擇的存儲單元為下部存儲單元時，所述第一電壓包括第一電壓值 V，所述第二電壓包括接地電壓，所述第三電壓包括1/2V；所述第四電壓包括 1/2V；