[發明專利]三維存儲器的控制方法、裝置及存儲介質

有效

• 申請號: 202011200027.7
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112562761B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

1.一種三維相變存儲器的控制方法，其特征在于，包括：

選擇三維相變存儲器的一個存儲陣列塊中的上部存儲單元或選擇三維相變存儲器的一個存儲陣列塊中的下部存儲單元；其中，選擇的存儲單元耦合到選定的字線和選定的位線上；

對所述選擇的存儲單元進行讀取操作或寫操作；其中，在進行讀取操作或寫操作的過程中，對所述選定的字線施加第一電壓，對所述選定的位線施加第二電壓，對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的字線均施加第三電壓，對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的位線均施加第四電壓；在所述第一電壓、第二電壓、第三電壓及第四電壓的作用下，使得施加在所述選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差大于所述選擇的存儲單元的選擇器的閾值電壓，且施加在所述選擇的存儲陣列塊中所有未被選擇的存儲單元對應的位線與字線上的電壓差均小于預設電壓；所述預設電壓小于所述閾值電壓；

若施加在所述選擇的上部存儲單元對應的位線與字線上的電壓差與施加在所述選擇的下部存儲單元對應的字線與位線上的電壓差的極性相同，當所述選擇的存儲單元為下部存儲單元時，所述第一電壓包括第一電壓值V，所述第二電壓包括接地電壓，所述第三電壓包括1/3V；所述第四電壓包括2/3V；當所述選擇的存儲單元為上部存儲單元時，所述第一電壓包括接地電壓，所述第二電壓包括V，所述第三電壓包括2/3V；所述第四電壓包括1/3V；或者，當所述選擇的存儲單元為下部存儲單元時，所述第一電壓包括第一電壓值V，所述第二電壓包括接地電壓，所述第三電壓包括1/2V；所述第四電壓包括1/2V；當所述選擇的存儲單元為上部存儲單元時，所述第一電壓包括接地電壓，所述第二電壓包括V，所述第三電壓包括1/2V；所述第四電壓包括1/2V；

若施加在所述選擇的上部存儲單元對應的位線與字線上的電壓差與施加在所述選擇的下部存儲單元對應的字線與位線上的電壓差的極性相反，當所述選擇的存儲單元為上部存儲單元或者下部存儲單元時，所述第一電壓均包括第一電壓值V，所述第二電壓均包括接地電壓，所述第三電壓均包括1/3V；所述第四電壓均包括2/3V；或者，所述第一電壓均包括第一電壓值V，所述第二電壓均包括接地電壓，所述第三電壓均包括1/2V；所述第四電壓均包括1/2V。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一電壓、第二電壓、第三電壓及第四電壓的作用下，使得施加在所述選擇的存儲陣列塊中與所述選擇的存儲單元相鄰的、未被選擇的存儲單元對應的位線與字線的電壓差均相同。