[發明專利]基于偏置電路的低功耗上電復位電路和方法

有效

• 申請號: 202011197700.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112290923B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 鄭軒;宋振宇;黃楊程
• 申請（專利權）人: 廣州鴻博微電子技術有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 陳照輝

1.一種基于偏置電路的低功耗上電復位電路，其特征在于，包括：低功耗偏置電路和上電復位電路；

所述低功耗偏置電路包括第一偏置電流輸出端、第二偏置電流輸出端和高電位輸出端；

所述上電復位電路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第七NMOS管、施密特觸發器和上升沿延遲器；

其中，所述第三PMOS管的源極連接電源端，柵極連接所述第四NMOS管的柵極，漏極連接所述第三NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的柵極；所述第四PMOS管的源極連接電源端，柵極連接所述第一偏置電流輸出端，漏極連接所述第四NMOS管的漏極和施密特觸發器的輸入端；所述第三NMOS管的源極連接接地端，柵極連接所述第二偏置電流輸出端；所述第四NMOS管的源極連接接地端；所述第七NMOS管的柵極連接所述高電位輸出端，源極連接接地端，漏極連接所述施密特觸發器的輸出端和所述上升沿延遲器的輸入端，所述上升沿延遲器的輸出端輸出延遲信號。

2.根據權利要求1所述的基于偏置電路的低功耗上電復位電路，其特征在于，所述低功耗偏置電路包括啟動電路和偏置電流產生電路；所述啟動電路和所述偏置電流產生電路連接；

所述啟動電路包括：第六PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第一電容；所述第六PMOS管的源極連接電源端和所述第一電容的第一端，柵極連接接地端，漏極連接所述第一電容的第二端、所述第五NMOS管的漏極和所述第六NMOS管的柵極；所述第五NMOS管的柵極連接所述偏置電流產生電路，源極連接接地端；所述第六NMOS管的漏極連接所述偏置電流產生電路，源極連接接地端。

3.根據權利要求2所述的基于偏置電路的低功耗上電復位電路，其特征在于，所述偏置電流產生電路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一電阻；

所述第一PMOS管的源極連接電源端，柵極連接第二PMOS管的柵極、所述第一偏置電流輸出端和所述第六NMOS管的漏極，漏極連接所述第一NMOS管的漏極；所述第二PMOS管的源極連接電源端，柵極連接所述第二NMOS管的漏極，漏極連接所述第二NMOS管的漏極；所述第一NMOS管的漏極和柵極相連，柵極連接所述第二NMOS管的柵極、所述第二偏置電流輸出端和所述第五NMOS管的柵極；所述第二NMOS管的源極通過所述第一電阻連接接地端。

4.根據權利要求1所述的基于偏置電路的低功耗上電復位電路，其特征在于，所述上電復位電路還包括第二電容和第五電阻；所述第五電阻的第一端連接第三PMOS管的柵極，所述第五電阻的第二端連接所述第四NMOS管的柵極和所述第二電容的第一端，所述第二電容的第二端連接接地端。

5.根據權利要求3所述的基于偏置電路的低功耗上電復位電路，其特征在于，還包括第五PMOS管；所述偏置電流產生電路還包括第三偏置電流輸出端；所述第五PMOS管的源極連接電源端，柵極連接第一PMOS管的柵極，漏極連接第三偏置電流輸出端，所述第三偏置電流輸出端連接所述第一PMOS管的柵極。